碑化鎵（GaAs）是優(yōu)良的半導(dǎo)體材料，可用于制作微型激光器或太陽能電池的材料等。
試回答下列問題
（1）寫出基態(tài)As原子的核外電子排布式1s22s22p63s23p63d104s24p31s22s22p63s23p63d104s24p3。
（2）根據(jù)元素周期律，原子半徑Ca＞＞As（填“＞”或“＜”下同），第一電離能Ca＜＜As
（3）AsCl5分子的立體構(gòu)型為三角雙錐形三角雙錐形，其中As的雜化軌道類型為dsp3dsp3。
（4）CaF3的熔點(diǎn)高于1000℃，GaCl3的熔點(diǎn)為79℃，其原因是CaF3屬于離子晶體，而GaCl3屬于分子晶體CaF3屬于離子晶體，而GaCl3屬于分子晶體。
（5）GaAs的熔點(diǎn)為1238℃，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。該晶體的類型為原子晶體原子晶體，
與As以共價(jià)共價(jià)鍵鍵合。已知阿伏加德羅常數(shù)為NA，晶胞參數(shù)α=1mm,此晶體的密度為4×145NA×（1×10-7）34×145NA×（1×10-7）3 g?cm-3（寫出計(jì)算式）。
4
×
145
N
A
×
（
1
×
1
0
-
7
）
3
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【答案】1s22s22p63s23p63d104s24p3；＞；＜；三角雙錐形；dsp3；CaF3屬于離子晶體，而GaCl3屬于分子晶體；原子晶體；共價(jià)；
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3
【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
聲明：本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有，未經(jīng)書面同意，不得復(fù)制發(fā)布。
發(fā)布：2024/6/27 10:35:59組卷：40引用：2難度：0.5
相似題
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1．一種從照相底片中回收單質(zhì)銀的方法如下：
步驟1：用Na2S2O3溶液浸泡照相底片，未曝光的AgBr轉(zhuǎn)化成Na3[Ag（S2O3）2]而溶解。
步驟2：在步驟1所得溶液中加稍過量Na2S溶液，充分反應(yīng)后過濾出黑色沉淀。
步驟3：將黑色沉淀在空氣中灼燒，回收單質(zhì)銀。
下列說法正確的是（ ?。?/h2>發(fā)布：2024/12/20 1:30:2組卷：79引用：5難度：0.8 -
2．生活、實(shí)驗(yàn)室中接觸的很多物質(zhì)含有第二周期的元素，比如：石墨、Na2O、配合物Na2[Fe（CN）5（NO）]等．
（1）①Na2[Fe（CN）5（NO）]中中心離子的未成對(duì)電子數(shù)為個(gè)．（寫具體數(shù)字）
②Na2[Fe（CN）5（NO）]中原子序數(shù)之和為15的兩種元素中第一電離能較大的是（寫元素名稱），二者能形成原子個(gè)數(shù)比為1：3的一種常見微粒，推測(cè)這種微粒的空間構(gòu)型為．
（2）石墨的結(jié)構(gòu)如圖1所示．若已知每個(gè)共價(jià)鍵的鍵長為142pm,可以計(jì)算出每個(gè)正六邊形的面積約為5.24×10-20m2，則將12g石墨單質(zhì)中的每一層都剝離出來彼此緊密連接，其總面積約為m2（NA=6.02×1023）．（保留3位有效數(shù)字，用科學(xué)記數(shù)法表達(dá)）
（3）Na2O的晶胞結(jié)構(gòu)如圖2所示，已知該晶胞的密度為ρ g?cm-3，阿伏加德羅常數(shù)為NA，則晶胞邊長a=cm.發(fā)布：2024/12/20 8:0:1組卷：8引用：1難度：0.5 -
3．有關(guān)晶體的結(jié)構(gòu)如圖所示，下列說法中錯(cuò)誤的是（ ?。?br />
發(fā)布：2024/12/20 16:0:2組卷：175引用：4難度：0.7
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