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大力推廣太陽(yáng)能和新型化學(xué)電池的使用,有助于實(shí)現(xiàn)碳減排、碳中和的目標(biāo)。
(1)太陽(yáng)能電池板主要材料為單晶硅或多晶硅,硅元素在周期表中的位置是
第三周期第ⅣA族
第三周期第ⅣA族
,與硅同主族的鍺元素的基態(tài)原子價(jià)層電子排布式為
4s24p2
4s24p2
。
(2)SiCl4分子中Si原子的雜化方式為
sp3
sp3
,NCl3分子中價(jià)層電子對(duì)的數(shù)目為
4
4
,SCl2分子的空間構(gòu)型為
V形
V形
,
(3)某有機(jī)硅化物的結(jié)構(gòu)為:,標(biāo)號(hào)①~④的碳原子中,屬于手性碳原子的是
(填標(biāo)號(hào))。
(4)碳與硅元素同主族,但形成的晶體性質(zhì)卻有所不同。單晶硅不導(dǎo)電,但石墨晶體中存在自由電子、能導(dǎo)電,石墨晶體中存在自由電子的原因是
石墨中每個(gè)碳原子均為sp2雜化,剩余1個(gè)p電子的軌道重疊形成一個(gè)離域大π鍵,使電子可在層間自由移動(dòng)
石墨中每個(gè)碳原子均為sp2雜化,剩余1個(gè)p電子的軌道重疊形成一個(gè)離域大π鍵,使電子可在層間自由移動(dòng)
。
(5)SiC和單晶硅具有相似的晶體結(jié)構(gòu),但SiC熔點(diǎn)更高,其原因是
SiC和單晶硅同為共價(jià)晶體,r(C)<r(Si),Si-C鍵比Si-Si鍵更短,鍵能更大,故SiC熔點(diǎn)更高
SiC和單晶硅同為共價(jià)晶體,r(C)<r(Si),Si-C鍵比Si-Si鍵更短,鍵能更大,故SiC熔點(diǎn)更高
。
(6)磷酸鐵鋰(LiFePO4)電池充放電過(guò)程中,正極變化的示意圖如圖:

①LiFePO4的晶胞結(jié)構(gòu)示意圖如(a)所示。其中O圍繞Fe和P分別形成正八面體和正四面體,它們通過(guò)共頂點(diǎn)、共棱形成空間鏈結(jié)構(gòu)。每個(gè)晶胞中含有LiFePO4的單元數(shù)有
4
4
個(gè)。
②電池充電時(shí),LiFePO4脫出部分Li+,形成Li1-xFePO4,結(jié)構(gòu)示意圖如(b)所示,則x=
3
16
3
16
,n(Fe2+):n(Fe3+)=
13:3
13:3
。

【答案】第三周期第ⅣA族;4s24p2;sp3;4;V形;②;石墨中每個(gè)碳原子均為sp2雜化,剩余1個(gè)p電子的軌道重疊形成一個(gè)離域大π鍵,使電子可在層間自由移動(dòng);SiC和單晶硅同為共價(jià)晶體,r(C)<r(Si),Si-C鍵比Si-Si鍵更短,鍵能更大,故SiC熔點(diǎn)更高;4;
3
16
;13:3
【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
聲明:本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有,未經(jīng)書(shū)面同意,不得復(fù)制發(fā)布。
發(fā)布:2024/6/20 8:0:9組卷:21引用:1難度:0.5
相似題
  • 1.A、B、C、D、E、F是元素周期表中前四周期元素,且原子序數(shù)依次增大,其相關(guān)信息如下:
    ①A的周期序數(shù)等于其主族序數(shù);
    ②B、D原子的L層中都有兩個(gè)未成對(duì)電子;
    ③E元素原子最外層電子排布式為(n+1)Sn(n+1)Pn-1
    ④F原子有四個(gè)能層,K、L、M全充滿,最外層只有一個(gè)電子.
    試回答下列問(wèn)題:
    (1)基態(tài)E原子中,電子占據(jù)的最高能層符號(hào)為
     
    ,F(xiàn)的價(jià)層電子排布式為
     

    (2)B、C、D的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)?!--BA-->
     
    (用元素符號(hào)填寫),C與A形成的分子CA3的VSEPR模型為
     

    (3)B和D分別與A形成的化合物的穩(wěn)定性:BA4小于A2D,原因是
     

    (4)以E、F的單質(zhì)為電極,組成如圖1所示的裝置,E極的電極反應(yīng)式為
     

    (5)向盛有F的硫酸鹽FSO4的試管里逐滴加入氨水,首先出現(xiàn)藍(lán)色沉淀,繼續(xù)滴加氨水,藍(lán)色沉淀溶解,得到深藍(lán)色溶液,再向深藍(lán)色透明溶液中加入乙醇,析出深藍(lán)色晶體.藍(lán)色沉淀溶解的離子方程式為
     

    (6)F的晶胞結(jié)構(gòu)(面心立方)如圖2所示:已知兩個(gè)最近的F的距離為acm,F的密度為
     
    g/cm3(阿伏加德羅常數(shù)用NA表示,F(xiàn)的相對(duì)原子質(zhì)量用M表示)

    發(fā)布:2025/1/18 8:0:1組卷:14引用:2難度:0.5
  • 2.鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學(xué)研究方面應(yīng)用非常廣泛。
    (1)基態(tài)Fe原子的價(jià)層電子的電子排布圖為
     
    ;其最外層電子的電子云形狀為
     
    。
    (2)(NH42Fe(SO42?6H2O俗稱摩爾鹽
    ①NH4+電子式為
     
    。
    ②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->
     
    (用元素符號(hào)表示)
    ③SO42-中S原子的雜化方式為
     
    ,VSEPR模型名稱為
     
    。
    (3)K3[Fe(CN)6]晶體中中心原子的配位數(shù)為
     
    ;晶體的配位體為
     
    (用化學(xué)符號(hào)表示)
    (4)FeS2晶體的晶胞如圖(c)所示。晶胞邊長(zhǎng)為a nm、FeS2相對(duì)式量為M,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,其晶體密度的計(jì)算表達(dá)式為
     
    g?cm-3

    發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:7引用:1難度:0.7
  • 3.碳及其化合物有著重要用途?;卮鹣铝袉?wèn)題:
    (1)基態(tài)碳原子的價(jià)層電子排布圖為
     
    。
    (2)在CH2=CHCN中,碳原子的雜化方式有
     
    、
     
    ,所含σ鍵數(shù)目和π鍵數(shù)目之比為
     
    。
    (3)甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式,VSEPR模型均為正四面體構(gòu)型,比較三者鍵角的大小
     
    (由大到小,用H一R-H表示),其原因是
     
    。
    (4)C60室溫下為紫紅色固體,不溶于水,能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是
     

    (5)C60晶胞結(jié)構(gòu)如圖,C60分子處于頂點(diǎn)和面心。已知:C60晶胞棱長(zhǎng)為14.20? (1?=10-8cm),則C60的晶體密度為
     
    g/cm3。
    C60體中存在正四面體空隙(例如1、3、6、7四點(diǎn)構(gòu)成)和正八面體空隙(例如3、6、7、8、9、12六點(diǎn)構(gòu)成),則平均每一個(gè)C60晶胞中有
     
    個(gè)正四面體空隙和4個(gè)正八面體空隙。當(dāng)堿金屬元素全部占滿所有空隙后,這類C60摻雜物才具有超導(dǎo)性。若用金屬銫(Cs)填滿所有空隙,距離最近的兩個(gè)Cs原子間的距離為
     
     ?。

    發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:53引用:2難度:0.4
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