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菁優(yōu)網(wǎng)鹵素單質(zhì)及其化合物在科研和工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)中有著廣泛的應(yīng)用?;卮鹣铝袉?wèn)題:
(1)氟原子激發(fā)態(tài)的電子排布式有
ad
ad
,其中能量較高的是
d
d
。(填標(biāo)號(hào))
a.1s22s22p43s1
b.1s22s22p43d2
c.1s22s12p5
d.1s22s22p33p2
(2)①一氯乙烯(C2H3Cl)分子中,C的一個(gè)
sp2
sp2
雜化軌道與Cl的3px軌道形成C-Cl
σ
σ
鍵,并且Cl的3pz軌道與C的2pz軌道形成3中心4電子的大π鍵(
Π
4
3
)。
②一氯乙烷(C2H5Cl)、一氯乙烯(C2H3Cl)、一氯乙炔(C2HCl)分子中,C-Cl鍵長(zhǎng)的順序是
一氯乙烷>一氯乙烯>一氯乙炔
一氯乙烷>一氯乙烯>一氯乙炔
,理由:(?。〤的雜化軌道中s成分越多,形成的C-Cl鍵越強(qiáng);(ⅱ)
Cl參與形成的大π鍵越多,形成的C-Cl鍵的鍵長(zhǎng)越短
Cl參與形成的大π鍵越多,形成的C-Cl鍵的鍵長(zhǎng)越短
。
(3)鹵化物CsICl2受熱發(fā)生非氧化還原反應(yīng),生成無(wú)色晶體X和紅棕色液體Y。X為
CsCl
CsCl
。解釋X的熔點(diǎn)比Y高的原因
CsCl為離子晶體,ICl為分子晶體
CsCl為離子晶體,ICl為分子晶體

(4)α-AgI晶體中I-離子作體心立方堆積(如圖所示),Ag+主要分布在由I-構(gòu)成的四面體、八面體等空隙中。在電場(chǎng)作用下,Ag+不需要克服太大的阻力即可發(fā)生遷移。因此,α-AgI晶體在電池中可作為
電解質(zhì)
電解質(zhì)
。
已知阿伏加德羅常數(shù)為NA,則α-AgI晶體的摩爾體積Vm=
N
A
×
504
×
1
0
-
12
3
2
N
A
×
504
×
1
0
-
12
3
2
m3?mol-1(列出算式)。

【考點(diǎn)】晶胞的計(jì)算
【答案】ad;d;sp2;σ;一氯乙烷>一氯乙烯>一氯乙炔;Cl參與形成的大π鍵越多,形成的C-Cl鍵的鍵長(zhǎng)越短;CsCl;CsCl為離子晶體,ICl為分子晶體;電解質(zhì);
N
A
×
504
×
1
0
-
12
3
2
【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
聲明:本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有,未經(jīng)書(shū)面同意,不得復(fù)制發(fā)布。
發(fā)布:2024/4/20 14:35:0組卷:499引用:1難度:0.6
相似題
  • 菁優(yōu)網(wǎng)1.碳及其化合物有著重要用途?;卮鹣铝袉?wèn)題:
    (1)基態(tài)碳原子的價(jià)層電子排布圖為
     

    (2)在CH2=CHCN中,碳原子的雜化方式有
     
    、
     
    ,所含σ鍵數(shù)目和π鍵數(shù)目之比為
     
    。
    (3)甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式,VSEPR模型均為正四面體構(gòu)型,比較三者鍵角的大小
     
    (由大到小,用H一R-H表示),其原因是
     
    。
    (4)C60室溫下為紫紅色固體,不溶于水,能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是
     

    (5)C60晶胞結(jié)構(gòu)如圖,C60分子處于頂點(diǎn)和面心。已知:C60晶胞棱長(zhǎng)為14.20? (1?=10-8cm),則C60的晶體密度為
     
    g/cm3。
    C60體中存在正四面體空隙(例如1、3、6、7四點(diǎn)構(gòu)成)和正八面體空隙(例如3、6、7、8、9、12六點(diǎn)構(gòu)成),則平均每一個(gè)C60晶胞中有
     
    個(gè)正四面體空隙和4個(gè)正八面體空隙。當(dāng)堿金屬元素全部占滿所有空隙后,這類C60摻雜物才具有超導(dǎo)性。若用金屬銫(Cs)填滿所有空隙,距離最近的兩個(gè)Cs原子間的距離為
     
     ?。

    發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:53引用:2難度:0.4
  • 菁優(yōu)網(wǎng)2.鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學(xué)研究方面應(yīng)用非常廣泛。
    (1)基態(tài)Fe原子的價(jià)層電子的電子排布圖為
     
    ;其最外層電子的電子云形狀為
     
    。
    (2)(NH42Fe(SO42?6H2O俗稱摩爾鹽
    ①NH4+電子式為
     
    。
    ②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->
     
    (用元素符號(hào)表示)
    ③SO42-中S原子的雜化方式為
     
    ,VSEPR模型名稱為
     
    。
    (3)K3[Fe(CN)6]晶體中中心原子的配位數(shù)為
     
    ;晶體的配位體為
     
    (用化學(xué)符號(hào)表示)
    (4)FeS2晶體的晶胞如圖(c)所示。晶胞邊長(zhǎng)為a nm、FeS2相對(duì)式量為M,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,其晶體密度的計(jì)算表達(dá)式為
     
    g?cm-3

    發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:7引用:1難度:0.7
  • 3.N、P、As都是ⅤA族元素,且原子序數(shù)依次增大,它們的單質(zhì)和化合物在生產(chǎn)、生活中有廣泛應(yīng)用。請(qǐng)回答下列相關(guān)問(wèn)題。
    (1)基態(tài)磷原子的價(jià)電子排布式為
     

    (2)已知白磷的分子式為P4,其結(jié)構(gòu)如圖1所示??茖W(xué)家目前合成了N4分子,其分子結(jié)構(gòu)與白磷類似。則N原子的雜化軌道類型是
     
    ,N-N-N鍵的鍵角為
     
    。
    菁優(yōu)網(wǎng)
    (3)硝酸的沸點(diǎn)較低,從氫鍵的角度推斷其可能的原因是
     
    ;請(qǐng)寫(xiě)出兩種與NO3-互為等電子體的微?;瘜W(xué)式
     
    (請(qǐng)寫(xiě)一個(gè)分子和一個(gè)離子)。
    (4)NO2-與鈷形成的配離子[Co(NO26]3-可用于檢驗(yàn)K+的存在。NO2-離子的VSEPR模型名稱為
     
    ,K3[Co(NO26]是黃色沉淀,該物質(zhì)中四種元素的電負(fù)性由大到小的順序是
     
    。
    (5)鋁和白磷在一定條件下可以制備磷化鋁(AlP),磷化鋁晶胞的結(jié)構(gòu)如圖2所示。磷化鋁中,Al原子的配位數(shù)為
     
    ,若最近兩個(gè)Al原子之間的距離為acm,用NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值,則該晶體的密度為
     
    g?cm-3(用含有以上字母的計(jì)算式表示)。

    發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:55引用:1難度:0.5
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