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      近日，復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院教授團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)了具有顛覆性的二維半導(dǎo)體準(zhǔn)非易失存儲(chǔ)原型器件，開(kāi)創(chuàng)了第三類(lèi)存儲(chǔ)技術(shù)，寫(xiě)入速度比目前U盤(pán)快一萬(wàn)倍，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)時(shí)間也可自行決定。這解決了國(guó)際半導(dǎo)體電荷存儲(chǔ)技術(shù)中“寫(xiě)入速度”與“非易失性”難以兼得的難題。
      據(jù)了解，目前半導(dǎo)體電荷存儲(chǔ)技術(shù)主要有兩類(lèi)，第一類(lèi)是易失性存儲(chǔ)，例如計(jì)算機(jī)中的內(nèi)存，掉電后數(shù)據(jù)會(huì)立即消失；第二類(lèi)是非易失性存儲(chǔ)，例如人們常用的U盤(pán)，在寫(xiě)入數(shù)據(jù)后無(wú)需額外能量可保存10年。前者可在幾納秒左右寫(xiě)入數(shù)據(jù)，第二類(lèi)電荷存儲(chǔ)技術(shù)需要幾微秒到幾十微秒才能把數(shù)據(jù)保存下來(lái)。
      科研人員稱，基于二維半導(dǎo)體的準(zhǔn)非易失性存儲(chǔ)器可在大尺度合成技術(shù)基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)高密度集成，將在極低功耗高速存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)有效期自由度利用等多領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。