砷化鎵屬于第三代半導體，其晶胞結(jié)構(gòu)如右圖所示，回答下列問題：
（1）下列說法中正確的是 ACEACE
A．電負性：As＞Ga
B．第一電離能：As＜Ga
C．砷和鎵都屬于p區(qū)元素
D．砷和鎵的晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同
E．半導體GaP、SiC與砷化鎵為等電子體
（2）砷化鎵是將（CH3）3Ga和AsH3用MOCVD方法制備得到，該反應在700℃進行，反應的化學方程式為 （CH3）3Ga+AsH3700℃GaAs+3CH4（CH3）3Ga+AsH3700℃GaAs+3CH4。AsH3的空間構(gòu)型為 三角錐形三角錐形，（CH3）3Ga中鎵原子的雜化方式為 sp2sp2。
（3）Ga的核外電子排布式為 1s22s22p63s23p63d104s24p11s22s22p63s23p63d104s24p1。
（4）AsH3的沸點比NH3，其原因是 NH3分子間能形成氫鍵，而As電負性小，半徑大，分子間不能形成氫鍵NH3分子間能形成氫鍵，而As電負性小，半徑大，分子間不能形成氫鍵。
（5）砷化鎵晶體中最近的砷和鎵原子核間距為acm,砷化鎵的摩爾質(zhì)量為bg/mol-1，阿伏加德羅常數(shù)值為NA，則砷化鎵晶體密度的表達式 4bNA×（433a）34bNA×（433a）3g/cm-3。
（6）60年代美國化學家鮑林提出了一個經(jīng)驗規(guī)則：設含氧酸的化學式為HnROm，其中（m-n）為非羥基氧原子數(shù)，鮑林認為含氧酸的強弱與非羥基氧原子數(shù)（m-n）的關(guān)系見下表．
700
℃
700
℃
4
b
N
A
×
（
4
3
3
a
）
3
4
b
N
A
×
（
4
3
3
a
）
3
| m-n | 0 | 1 | 2 | 3 |
| 含氧酸強度 | 弱酸 | 中強 | 強 | 很強 |
| 實例 | HClO | H3PO4 | HNO3 | HClO4 |
①按此規(guī)則判斷H3AsO4、H2CrO4、HMnO4酸性由弱到強的順序為
H3AsO4＜H2CrO4＜HMnO4
H3AsO4＜H2CrO4＜HMnO4
．②H3PO3和H3AsO3的形式一樣，但酸性強弱相差很大．已知H3PO3為中強酸，H3AsO3為弱酸，試推斷H3PO3和H3AsO3的分子結(jié)構(gòu)
、
、③按此規(guī)則判斷碳酸應屬于
中強
中強
酸，與通常認為的碳酸的強度是否一致？不一致
不一致
.其可能的原因是 溶于水的那部分CO2并不能完全轉(zhuǎn)化為H2CO3
溶于水的那部分CO2并不能完全轉(zhuǎn)化為H2CO3
．【答案】ACE；（CH3）3Ga+AsH3GaAs+3CH4；三角錐形；sp2；1s22s22p63s23p63d104s24p1；NH3分子間能形成氫鍵，而As電負性小，半徑大，分子間不能形成氫鍵；；H3AsO4＜H2CrO4＜HMnO4；、；中強；不一致；溶于水的那部分CO2并不能完全轉(zhuǎn)化為H2CO3
700
℃
4
b
N
A
×
（
4
3
3
a
）
3
、；中強；不一致；溶于水的那部分CO2并不能完全轉(zhuǎn)化為H2CO3【解答】
【點評】
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發(fā)布：2024/4/20 14:35:0組卷：11引用：1難度：0.5
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1．碳及其化合物有著重要用途?；卮鹣铝袉栴}：
（1）基態(tài)碳原子的價層電子排布圖為。
（2）在CH2=CHCN中，碳原子的雜化方式有、，所含σ鍵數(shù)目和π鍵數(shù)目之比為。
（3）甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式，VSEPR模型均為正四面體構(gòu)型，比較三者鍵角的大小（由大到小，用H一R-H表示），其原因是。
（4）C60室溫下為紫紅色固體，不溶于水，能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是。
（5）C60晶胞結(jié)構(gòu)如圖，C60分子處于頂點和面心。已知：C60晶胞棱長為14.20? （1?=10-8cm），則C60的晶體密度為g/cm3。
C60體中存在正四面體空隙（例如1、3、6、7四點構(gòu)成）和正八面體空隙（例如3、6、7、8、9、12六點構(gòu)成），則平均每一個C60晶胞中有個正四面體空隙和4個正八面體空隙。當堿金屬元素全部占滿所有空隙后，這類C60摻雜物才具有超導性。若用金屬銫（Cs）填滿所有空隙，距離最近的兩個Cs原子間的距離為?。發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：53引用：2難度：0.4 -
2．鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學研究方面應用非常廣泛。
（1）基態(tài)Fe原子的價層電子的電子排布圖為；其最外層電子的電子云形狀為。
（2）（NH4）2Fe（SO4）2?6H2O俗稱摩爾鹽
①NH4+電子式為。
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序為（用元素符號表示）
③SO42-中S原子的雜化方式為，VSEPR模型名稱為。
（3）K3[Fe（CN）6]晶體中中心原子的配位數(shù)為；晶體的配位體為（用化學符號表示）
（4）FeS2晶體的晶胞如圖（c）所示。晶胞邊長為a nm、FeS2相對式量為M，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，其晶體密度的計算表達式為g?cm-3發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：7引用：1難度：0.7 -
3．N、P、As都是ⅤA族元素，且原子序數(shù)依次增大，它們的單質(zhì)和化合物在生產(chǎn)、生活中有廣泛應用。請回答下列相關(guān)問題。
（1）基態(tài)磷原子的價電子排布式為。
（2）已知白磷的分子式為P4，其結(jié)構(gòu)如圖1所示?？茖W家目前合成了N4分子，其分子結(jié)構(gòu)與白磷類似。則N原子的雜化軌道類型是，N-N-N鍵的鍵角為。
（3）硝酸的沸點較低，從氫鍵的角度推斷其可能的原因是；請寫出兩種與NO3-互為等電子體的微?；瘜W式（請寫一個分子和一個離子）。
（4）NO2-與鈷形成的配離子[Co（NO2）6]3-可用于檢驗K+的存在。NO2-離子的VSEPR模型名稱為，K3[Co（NO2）6]是黃色沉淀，該物質(zhì)中四種元素的電負性由大到小的順序是。
（5）鋁和白磷在一定條件下可以制備磷化鋁（AlP），磷化鋁晶胞的結(jié)構(gòu)如圖2所示。磷化鋁中，Al原子的配位數(shù)為，若最近兩個Al原子之間的距離為acm,用NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值，則該晶體的密度為g?cm-3（用含有以上字母的計算式表示）。發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：55引用：1難度：0.5
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