非線性光學(xué)晶體在信息、激光技術(shù)、醫(yī)療、國(guó)防等領(lǐng)域具有重要應(yīng)用價(jià)值。我國(guó)科學(xué)家利用Cs2CO3、XO2(X=Si、Ge)和H3BO3首次合成了組成為CsXB3O7的非線性光學(xué)晶體?;卮鹣铝袉栴}:
(1)C、O、Si三種元素電負(fù)性由大到小的順序?yàn)?O>C>SiO>C>Si;第一電離能I1(Si) >>I1(Ge)(填>或<)。
(2)基態(tài)Ge原子核外電子排布式為 1s22s22p63s23p63d104s24p2(或[Ar]3d104s24p2)1s22s22p63s23p63d104s24p2(或[Ar]3d104s24p2);SiO2、GeO2具有類似的晶體結(jié)構(gòu),其中熔點(diǎn)較高的是 SiO2SiO2,原因是 SiO2、GeO2均為原子晶體,Ge原子半徑大于Si,Si-O鍵長(zhǎng)小于Ge-O鍵長(zhǎng),SiO2鍵能更大,熔點(diǎn)更高SiO2、GeO2均為原子晶體,Ge原子半徑大于Si,Si-O鍵長(zhǎng)小于Ge-O鍵長(zhǎng),SiO2鍵能更大,熔點(diǎn)更高。
(3)圖為H3BO3晶體的片層結(jié)構(gòu),其中B的雜化方式為 sp2sp2。硼酸在熱水中比在冷水中溶解度顯著增大的主要原因是 熱水破壞了硼酸晶體中的氫鍵,并且硼酸分子與水形成分子間氫鍵,使溶解度增大熱水破壞了硼酸晶體中的氫鍵,并且硼酸分子與水形成分子間氫鍵,使溶解度增大。
(4)以晶胞參數(shù)為單位長(zhǎng)度建立的坐標(biāo)系可以表示晶胞中各原子的位置,稱作原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)。CsSiB3O7屬正交晶系(長(zhǎng)方體形)。晶胞參數(shù)為a pm、b pm、c pm.圖為沿y軸投影的晶胞中所有Cs原子的分布圖和原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)。據(jù)此推斷該晶胞中Cs原子的數(shù)目為 44;CsSiB3O7的摩爾質(zhì)量為M g?mol-1,設(shè)NA為阿伏加德羅常數(shù)的值,則CsSiB3O7晶體的密度為 4M×1030abcNA4M×1030abcNAg?cm-3(用代數(shù)式表示)。
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【答案】O>C>Si;>;1s22s22p63s23p63d104s24p2(或[Ar]3d104s24p2);SiO2;SiO2、GeO2均為原子晶體,Ge原子半徑大于Si,Si-O鍵長(zhǎng)小于Ge-O鍵長(zhǎng),SiO2鍵能更大,熔點(diǎn)更高;sp2;熱水破壞了硼酸晶體中的氫鍵,并且硼酸分子與水形成分子間氫鍵,使溶解度增大;4;
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【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
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發(fā)布:2024/6/27 10:35:59組卷:115引用:2難度:0.5
相似題
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1.生活、實(shí)驗(yàn)室中接觸的很多物質(zhì)含有第二周期的元素,比如:石墨、Na2O、配合物Na2[Fe(CN)5(NO)]等.
(1)①Na2[Fe(CN)5(NO)]中中心離子的未成對(duì)電子數(shù)為
②Na2[Fe(CN)5(NO)]中原子序數(shù)之和為15的兩種元素中第一電離能較大的是
(2)石墨的結(jié)構(gòu)如圖1所示.若已知每個(gè)共價(jià)鍵的鍵長(zhǎng)為142pm,可以計(jì)算出每個(gè)正六邊形的面積約為5.24×10-20m2,則將12g石墨單質(zhì)中的每一層都剝離出來(lái)彼此緊密連接,其總面積約為
(3)Na2O的晶胞結(jié)構(gòu)如圖2所示,已知該晶胞的密度為ρ g?cm-3,阿伏加德羅常數(shù)為NA,則晶胞邊長(zhǎng)a=發(fā)布:2024/12/20 8:0:1組卷:8引用:1難度:0.5 -
2.一種從照相底片中回收單質(zhì)銀的方法如下:
步驟1:用Na2S2O3溶液浸泡照相底片,未曝光的AgBr轉(zhuǎn)化成Na3[Ag(S2O3)2]而溶解。
步驟2:在步驟1所得溶液中加稍過(guò)量Na2S溶液,充分反應(yīng)后過(guò)濾出黑色沉淀。
步驟3:將黑色沉淀在空氣中灼燒,回收單質(zhì)銀。
下列說(shuō)法正確的是( ?。?/h2>發(fā)布:2024/12/20 1:30:2組卷:79引用:5難度:0.8 -
3.有關(guān)晶體的結(jié)構(gòu)如圖所示,下列說(shuō)法中錯(cuò)誤的是( )
發(fā)布:2024/12/20 16:0:2組卷:174引用:4難度:0.7
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