砷的一些化合物常用作半導(dǎo)體、除草劑、殺鼠藥等，回答下列問(wèn)題：
（1）寫(xiě)出基態(tài)砷原子的電子排布式

[Ar]3d¹⁰4s²4p³

[Ar]3d¹⁰4s²4p³

；有

3

3

個(gè)未成對(duì)電子。
（2）鎵氮砷合金材料的太陽(yáng)能電池效率達(dá)40%．Ga、N、As電負(fù)性由大到小的順序是

N＞As＞Ga

N＞As＞Ga

；
（3）As₄O₆的分子結(jié)構(gòu)如圖所示，其中As原子的雜化方式為

sp³

sp³

，1mol As₄O₆含有σ鍵的物質(zhì)的量為

12

12

mol。

（4）As與N是同族元素，AsH₃的沸點(diǎn)比NH₃的沸點(diǎn)

低

低

，原因是

AsH₃分子間不能形成氫鍵，而NH₃分子間能形成氫鍵

AsH₃分子間不能形成氫鍵，而NH₃分子間能形成氫鍵

。
（5）H₃AsO₄和H₃AsO₃是砷的兩種含氧酸，根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系，H₃AsO₄的酸性比H₃AsO₃強(qiáng)的原因是：

H₃AsO₄和H₃AsO₃可分別表示為（HO）₃AsO和（HO）₃As,H₃AsO₃中的As為+3價(jià)，而H₃AsO₄中的As為+5價(jià)，正電性更高，導(dǎo)致As-O-H中O的電子向As偏移，更易電離出H⁺

H₃AsO₄和H₃AsO₃可分別表示為（HO）₃AsO和（HO）₃As,H₃AsO₃中的As為+3價(jià)，而H₃AsO₄中的As為+5價(jià)，正電性更高，導(dǎo)致As-O-H中O的電子向As偏移，更易電離出H⁺

。
（6）晶胞有兩個(gè)基本要素
①原子坐標(biāo)參數(shù)，表示晶胞內(nèi)部各原子的相對(duì)位置，LiZnAs基稀磁半導(dǎo)體的晶胞如圖所示，其中原子坐標(biāo)參數(shù)A處Li為（0，0，

1

2

）；B處As為（

1

4

，

1

4

，

1

4

）；C處Li的坐標(biāo)參數(shù)為

（

1

2

，

1

2

，

1

2

）

（

1

2

，

1

2

，

1

2

）

。

②晶胞參數(shù)，描述晶胞的大小和形狀，已知LiZnAs單晶的晶胞參數(shù)，a=594pm,N_A表示阿伏加德羅常數(shù)的數(shù)值，其密度為

4

×

147

（

5

.

94

×

1

0

-

8

）

3

N

A

4

×

147

（

5

.

94

×

1

0

-

8

）

3

N

A

g?cm^-3（列出計(jì)算式即可）。