VIA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種氧化態(tài),含VIA族元素的化合物在研究和生產中有許多重要用途.請回答下列問題:
(1)S單質的常見形式為S8,其環(huán)狀結構如圖1所示,S原子采用的軌道雜化方式是sp3sp3;
(2)原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個電子轉化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量,O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序為O>S>SeO>S>Se;
(3)Se原子序數(shù)為3434,其核外M層電子的排布式為3s23p63d103s23p63d10;
(4)H2Se的酸性比H2S強強(填“強”或“弱”).氣態(tài)SeO3分子的立體構型為平面三角形平面三角形,SO32-離子的立體構型為三角錐形三角錐形;
(5)H2SeO3的K1和K2分別為2.7×10-3和2.5×10-8,H2SeO4第一步幾乎完全電離,K2為1.2×10-2,請根據(jù)結構與性質的關系解釋:
①H2SeO3和H2SeO4第一步電離程度大于第二步電離的原因:第一步電離后生成的負離子,較難再進一步電離出帶正電荷的氫離子第一步電離后生成的負離子,較難再進一步電離出帶正電荷的氫離子;
②H2SeO4比H2SeO3酸性強的原因:H2SeO3和H2SeO4可表示成(HO)2SeO和(HO)2SeO2.H2SeO3中的Se為+4價,而H2SeO4中的Se為+6價,正電性更高,導致Se-O-H中O的電子更向Se偏移,越易電離出H+;H2SeO3和H2SeO4可表示成(HO)2SeO和(HO)2SeO2.H2SeO3中的Se為+4價,而H2SeO4中的Se為+6價,正電性更高,導致Se-O-H中O的電子更向Se偏移,越易電離出H+;;
(6)ZnS在熒光體、光導體材料、涂料、顏料等行業(yè)中應用廣泛.立方ZnS晶體結構如圖2所示,其晶胞邊長為540.0pm,密度為4.14.1(列式并計算),a位置S2-離子與b位置Zn2+離子之間的距離為270.01-cos109°28′270.01-cos109°28′pm(列式表示).
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′
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【答案】sp3;O>S>Se;34;3s23p63d10;強;平面三角形;三角錐形;第一步電離后生成的負離子,較難再進一步電離出帶正電荷的氫離子;H2SeO3和H2SeO4可表示成(HO)2SeO和(HO)2SeO2.H2SeO3中的Se為+4價,而H2SeO4中的Se為+6價,正電性更高,導致Se-O-H中O的電子更向Se偏移,越易電離出H+;;4.1;
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【解答】
【點評】
聲明:本試題解析著作權屬菁優(yōu)網(wǎng)所有,未經(jīng)書面同意,不得復制發(fā)布。
發(fā)布:2024/6/27 10:35:59組卷:8引用:2難度:0.5
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(5)C60晶胞結構如圖,C60分子處于頂點和面心。已知:C60晶胞棱長為14.20? (1?=10-8cm),則C60的晶體密度為
C60體中存在正四面體空隙(例如1、3、6、7四點構成)和正八面體空隙(例如3、6、7、8、9、12六點構成),則平均每一個C60晶胞中有發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:53引用:2難度:0.4 -
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①NH4+電子式為
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序為
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(3)K3[Fe(CN)6]晶體中中心原子的配位數(shù)為
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