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VIA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種氧化態(tài),含VIA族元素的化合物在研究和生產中有許多重要用途.請回答下列問題:
菁優(yōu)網(wǎng)
(1)S單質的常見形式為S8,其環(huán)狀結構如圖1所示,S原子采用的軌道雜化方式是
sp3
sp3
;
(2)原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個電子轉化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量,O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序為
O>S>Se
O>S>Se
;
(3)Se原子序數(shù)為
34
34
,其核外M層電子的排布式為
3s23p63d10
3s23p63d10
;
(4)H2Se的酸性比H2S
(填“強”或“弱”).氣態(tài)SeO3分子的立體構型為
平面三角形
平面三角形
,SO32-離子的立體構型為
三角錐形
三角錐形
;
(5)H2SeO3的K1和K2分別為2.7×10-3和2.5×10-8,H2SeO4第一步幾乎完全電離,K2為1.2×10-2,請根據(jù)結構與性質的關系解釋:
①H2SeO3和H2SeO4第一步電離程度大于第二步電離的原因:
第一步電離后生成的負離子,較難再進一步電離出帶正電荷的氫離子
第一步電離后生成的負離子,較難再進一步電離出帶正電荷的氫離子

②H2SeO4比H2SeO3酸性強的原因:
H2SeO3和H2SeO4可表示成(HO)2SeO和(HO)2SeO2.H2SeO3中的Se為+4價,而H2SeO4中的Se為+6價,正電性更高,導致Se-O-H中O的電子更向Se偏移,越易電離出H+;
H2SeO3和H2SeO4可表示成(HO)2SeO和(HO)2SeO2.H2SeO3中的Se為+4價,而H2SeO4中的Se為+6價,正電性更高,導致Se-O-H中O的電子更向Se偏移,越易電離出H+
;
(6)ZnS在熒光體、光導體材料、涂料、顏料等行業(yè)中應用廣泛.立方ZnS晶體結構如圖2所示,其晶胞邊長為540.0pm,密度為
4.1
4.1
(列式并計算),a位置S2-離子與b位置Zn2+離子之間的距離為
270
.
0
1
-
cos
109
°
28
270
.
0
1
-
cos
109
°
28
pm(列式表示).

【答案】sp3;O>S>Se;34;3s23p63d10;強;平面三角形;三角錐形;第一步電離后生成的負離子,較難再進一步電離出帶正電荷的氫離子;H2SeO3和H2SeO4可表示成(HO)2SeO和(HO)2SeO2.H2SeO3中的Se為+4價,而H2SeO4中的Se為+6價,正電性更高,導致Se-O-H中O的電子更向Se偏移,越易電離出H+;;4.1;
270
.
0
1
-
cos
109
°
28
【解答】
【點評】
聲明:本試題解析著作權屬菁優(yōu)網(wǎng)所有,未經(jīng)書面同意,不得復制發(fā)布。
發(fā)布:2024/6/27 10:35:59組卷:8引用:2難度:0.5
相似題
  • 菁優(yōu)網(wǎng)1.碳及其化合物有著重要用途。回答下列問題:
    (1)基態(tài)碳原子的價層電子排布圖為
     
    。
    (2)在CH2=CHCN中,碳原子的雜化方式有
     
    、
     
    ,所含σ鍵數(shù)目和π鍵數(shù)目之比為
     

    (3)甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式,VSEPR模型均為正四面體構型,比較三者鍵角的大小
     
    (由大到小,用H一R-H表示),其原因是
     
    。
    (4)C60室溫下為紫紅色固體,不溶于水,能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是
     

    (5)C60晶胞結構如圖,C60分子處于頂點和面心。已知:C60晶胞棱長為14.20? (1?=10-8cm),則C60的晶體密度為
     
    g/cm3。
    C60體中存在正四面體空隙(例如1、3、6、7四點構成)和正八面體空隙(例如3、6、7、8、9、12六點構成),則平均每一個C60晶胞中有
     
    個正四面體空隙和4個正八面體空隙。當堿金屬元素全部占滿所有空隙后,這類C60摻雜物才具有超導性。若用金屬銫(Cs)填滿所有空隙,距離最近的兩個Cs原子間的距離為
     
     ?。

    發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:53引用:2難度:0.4
  • 菁優(yōu)網(wǎng)2.鐵及其化合物在生產生活及科學研究方面應用非常廣泛。
    (1)基態(tài)Fe原子的價層電子的電子排布圖為
     
    ;其最外層電子的電子云形狀為
     
    。
    (2)(NH42Fe(SO42?6H2O俗稱摩爾鹽
    ①NH4+電子式為
     
    。
    ②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序為
     
    (用元素符號表示)
    ③SO42-中S原子的雜化方式為
     
    ,VSEPR模型名稱為
     

    (3)K3[Fe(CN)6]晶體中中心原子的配位數(shù)為
     
    ;晶體的配位體為
     
    (用化學符號表示)
    (4)FeS2晶體的晶胞如圖(c)所示。晶胞邊長為a nm、FeS2相對式量為M,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,其晶體密度的計算表達式為
     
    g?cm-3

    發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:7引用:1難度:0.7
  • 3.N、P、As都是ⅤA族元素,且原子序數(shù)依次增大,它們的單質和化合物在生產、生活中有廣泛應用。請回答下列相關問題。
    (1)基態(tài)磷原子的價電子排布式為
     

    (2)已知白磷的分子式為P4,其結構如圖1所示??茖W家目前合成了N4分子,其分子結構與白磷類似。則N原子的雜化軌道類型是
     
    ,N-N-N鍵的鍵角為
     
    。
    菁優(yōu)網(wǎng)
    (3)硝酸的沸點較低,從氫鍵的角度推斷其可能的原因是
     
    ;請寫出兩種與NO3-互為等電子體的微粒化學式
     
    (請寫一個分子和一個離子)。
    (4)NO2-與鈷形成的配離子[Co(NO26]3-可用于檢驗K+的存在。NO2-離子的VSEPR模型名稱為
     
    ,K3[Co(NO26]是黃色沉淀,該物質中四種元素的電負性由大到小的順序是
     
    。
    (5)鋁和白磷在一定條件下可以制備磷化鋁(AlP),磷化鋁晶胞的結構如圖2所示。磷化鋁中,Al原子的配位數(shù)為
     
    ,若最近兩個Al原子之間的距離為acm,用NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值,則該晶體的密度為
     
    g?cm-3(用含有以上字母的計算式表示)。

    發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:55引用:1難度:0.5
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