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MXene(含碳過(guò)渡金屬新材料,M代表過(guò)渡金屬,如鈦、釩、鉻、銅、鋯等)是新加坡南洋理工大學(xué)閆清宇教授團(tuán)隊(duì)與清華大學(xué)李水清教授、鄭州大學(xué)劉憲虎副教授合作,獲得的新穎復(fù)合電催化劑材料,該材料為離子運(yùn)動(dòng)提供了更多的通道,大幅提高了離子運(yùn)動(dòng)的速度,是鋰離子電池領(lǐng)域的優(yōu)良材料。請(qǐng)回答下列問(wèn)題:
(1)基態(tài)釩原子的簡(jiǎn)化電子排布式為
[Ar]3d34s2
[Ar]3d34s2
。
(2)幾種鹵化鈦晶體熔、沸點(diǎn)如下表所示:
鹵化鈦 熔點(diǎn)/℃ 沸點(diǎn)/℃
TiF4 1200 1400
TiCl4 -25 136.4
TiBr4 39 230
TiI4 150 377.2
根據(jù)表中數(shù)據(jù),解釋四種鹵化鈦晶體熔、沸點(diǎn)變化的原因
氟化鈦為離子晶體,熔沸點(diǎn)最高,其他三種鹵化鈦晶體均為分子晶體,隨著相對(duì)分子質(zhì)量的增大,熔沸點(diǎn)依次升高
氟化鈦為離子晶體,熔沸點(diǎn)最高,其他三種鹵化鈦晶體均為分子晶體,隨著相對(duì)分子質(zhì)量的增大,熔沸點(diǎn)依次升高
。
(3)①灼燒CuSO4溶液時(shí)火焰會(huì)呈現(xiàn)特殊的顏色,產(chǎn)生該現(xiàn)象的原因是
銅原子中電子從激發(fā)態(tài)躍遷至基態(tài)或較低能量的激發(fā)態(tài)時(shí),會(huì)以特定波長(zhǎng)的光子形式釋放能量
銅原子中電子從激發(fā)態(tài)躍遷至基態(tài)或較低能量的激發(fā)態(tài)時(shí),會(huì)以特定波長(zhǎng)的光子形式釋放能量
。
與Cu(Ⅱ)形成配合物時(shí),提供孤電子對(duì)的原子為
N、O
N、O
;的沸點(diǎn)低于的原因?yàn)?
能形成分子內(nèi)氫鍵,而能形成分子間氫鍵,故的沸點(diǎn)低于
能形成分子內(nèi)氫鍵,而能形成分子間氫鍵,故的沸點(diǎn)低于

(4)鉬鋁合金性能優(yōu)良,其立方晶胞如圖甲所示(Al原子未畫(huà)出),其中Mo原子按體心立方堆積,每個(gè)Mo原子周?chē)鷩@的Al原子形成正二十面體(如圖乙),即每個(gè)Mo原子位于正二十面體的中心,該鉬鋁合金的化學(xué)式為
MoAl12
MoAl12
。已知該晶胞參數(shù)為a pm,則該晶體的密度為
8
.
4
×
1
0
32
a
3
N
A
8
.
4
×
1
0
32
a
3
N
A
g?cm-3(設(shè)NA為阿伏加德羅常數(shù)的值,用含a、NA的代數(shù)式表示)。

【答案】[Ar]3d34s2;氟化鈦為離子晶體,熔沸點(diǎn)最高,其他三種鹵化鈦晶體均為分子晶體,隨著相對(duì)分子質(zhì)量的增大,熔沸點(diǎn)依次升高;銅原子中電子從激發(fā)態(tài)躍遷至基態(tài)或較低能量的激發(fā)態(tài)時(shí),會(huì)以特定波長(zhǎng)的光子形式釋放能量;N、O;能形成分子內(nèi)氫鍵,而能形成分子間氫鍵,故的沸點(diǎn)低于;MoAl12;
8
.
4
×
1
0
32
a
3
N
A
【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
聲明:本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有,未經(jīng)書(shū)面同意,不得復(fù)制發(fā)布。
發(fā)布:2024/6/27 10:35:59組卷:22引用:1難度:0.4
相似題
  • 1.碳及其化合物有著重要用途?;卮鹣铝袉?wèn)題:
    (1)基態(tài)碳原子的價(jià)層電子排布圖為
     
    。
    (2)在CH2=CHCN中,碳原子的雜化方式有
     
    、
     
    ,所含σ鍵數(shù)目和π鍵數(shù)目之比為
     
    。
    (3)甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式,VSEPR模型均為正四面體構(gòu)型,比較三者鍵角的大小
     
    (由大到小,用H一R-H表示),其原因是
     
    。
    (4)C60室溫下為紫紅色固體,不溶于水,能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類(lèi)型是
     

    (5)C60晶胞結(jié)構(gòu)如圖,C60分子處于頂點(diǎn)和面心。已知:C60晶胞棱長(zhǎng)為14.20? (1?=10-8cm),則C60的晶體密度為
     
    g/cm3。
    C60體中存在正四面體空隙(例如1、3、6、7四點(diǎn)構(gòu)成)和正八面體空隙(例如3、6、7、8、9、12六點(diǎn)構(gòu)成),則平均每一個(gè)C60晶胞中有
     
    個(gè)正四面體空隙和4個(gè)正八面體空隙。當(dāng)堿金屬元素全部占滿(mǎn)所有空隙后,這類(lèi)C60摻雜物才具有超導(dǎo)性。若用金屬銫(Cs)填滿(mǎn)所有空隙,距離最近的兩個(gè)Cs原子間的距離為
     
     ?。

    發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:53引用:2難度:0.4
  • 2.鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學(xué)研究方面應(yīng)用非常廣泛。
    (1)基態(tài)Fe原子的價(jià)層電子的電子排布圖為
     
    ;其最外層電子的電子云形狀為
     
    。
    (2)(NH42Fe(SO42?6H2O俗稱(chēng)摩爾鹽
    ①NH4+電子式為
     
    。
    ②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->
     
    (用元素符號(hào)表示)
    ③SO42-中S原子的雜化方式為
     
    ,VSEPR模型名稱(chēng)為
     

    (3)K3[Fe(CN)6]晶體中中心原子的配位數(shù)為
     
    ;晶體的配位體為
     
    (用化學(xué)符號(hào)表示)
    (4)FeS2晶體的晶胞如圖(c)所示。晶胞邊長(zhǎng)為a nm、FeS2相對(duì)式量為M,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,其晶體密度的計(jì)算表達(dá)式為
     
    g?cm-3

    發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:7引用:1難度:0.7
  • 3.A、B、C、D、E、F是元素周期表中前四周期元素,且原子序數(shù)依次增大,其相關(guān)信息如下:
    ①A的周期序數(shù)等于其主族序數(shù);
    ②B、D原子的L層中都有兩個(gè)未成對(duì)電子;
    ③E元素原子最外層電子排布式為(n+1)Sn(n+1)Pn-1;
    ④F原子有四個(gè)能層,K、L、M全充滿(mǎn),最外層只有一個(gè)電子.
    試回答下列問(wèn)題:
    (1)基態(tài)E原子中,電子占據(jù)的最高能層符號(hào)為
     
    ,F(xiàn)的價(jià)層電子排布式為
     

    (2)B、C、D的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)?!--BA-->
     
    (用元素符號(hào)填寫(xiě)),C與A形成的分子CA3的VSEPR模型為
     

    (3)B和D分別與A形成的化合物的穩(wěn)定性:BA4小于A2D,原因是
     

    (4)以E、F的單質(zhì)為電極,組成如圖1所示的裝置,E極的電極反應(yīng)式為
     

    (5)向盛有F的硫酸鹽FSO4的試管里逐滴加入氨水,首先出現(xiàn)藍(lán)色沉淀,繼續(xù)滴加氨水,藍(lán)色沉淀溶解,得到深藍(lán)色溶液,再向深藍(lán)色透明溶液中加入乙醇,析出深藍(lán)色晶體.藍(lán)色沉淀溶解的離子方程式為
     

    (6)F的晶胞結(jié)構(gòu)(面心立方)如圖2所示:已知兩個(gè)最近的F的距離為acm,F的密度為
     
    g/cm3(阿伏加德羅常數(shù)用NA表示,F(xiàn)的相對(duì)原子質(zhì)量用M表示)

    發(fā)布:2025/1/18 8:0:1組卷:14引用:2難度:0.5
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