第ⅢA主族元素有著廣泛的應(yīng)用,B可用作特種玻璃,Al可用作火箭和飛機外殼,In可用于電子儀器中,Tl可用于紅外技術(shù)?;卮鹣铝袉栴}:
(1)B能形成很多類似于烴類的物質(zhì),B與N元素可形成無機苯B3N3H6,它與苯的結(jié)構(gòu)很相似,該分子中N的雜化方式是 sp2sp2。
(2)電解氧化鋁需要添加冰晶石Na3AlF6,它的陰離子的空間結(jié)構(gòu)為 正八面體正八面體,它可通過以下反應(yīng)制備:Al(OH)3+3NaOH+6HF=Na3AlF6+6H2O,該反應(yīng)涉及的5種元素電負性最大的是 FF。
(3)AlF3、AlCl3熔點分別為1290℃和192℃,熔點呈現(xiàn)如此變化的原因是 F和Al電負性差別很大,AlF3為離子晶體,Cl和Al電負性差別小,AlCl3為分子晶體,離子晶體的熔點大于分子晶體的熔點F和Al電負性差別很大,AlF3為離子晶體,Cl和Al電負性差別小,AlCl3為分子晶體,離子晶體的熔點大于分子晶體的熔點。
(4)H3BO3晶體形成層狀結(jié)構(gòu),每一層的結(jié)構(gòu)如圖1所示,層與層之間距離為318pm(大于氫鍵的長度),硼酸晶體屬于 分子分子晶體,晶體中含有的作用力有 氫鍵、共價鍵和范德華力氫鍵、共價鍵和范德華力,則1molH3BO3的晶體中有 33mol氫鍵。
(5)GaN是二元Ⅲ-VA族的直接帶隙半導體,非常適合制造光電器件,GaN具有六方纖鋅礦結(jié)構(gòu),晶胞示意圖如圖所示,該晶胞的邊長a=318pm,c=517pm。該GaN晶體的密度ρ=2×(14+70)×1030NA×32×3182×5172×(14+70)×1030NA×32×3182×517g?cm-3。(只列計算式,NA表示阿伏加德羅常數(shù))
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【答案】sp2;正八面體;F;F和Al電負性差別很大,AlF3為離子晶體,Cl和Al電負性差別小,AlCl3為分子晶體,離子晶體的熔點大于分子晶體的熔點;分子;氫鍵、共價鍵和范德華力;3;
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【解答】
【點評】
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發(fā)布:2024/4/20 14:35:0組卷:7引用:1難度:0.5
相似題
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1.碳及其化合物有著重要用途?;卮鹣铝袉栴}:
(1)基態(tài)碳原子的價層電子排布圖為
(2)在CH2=CHCN中,碳原子的雜化方式有
(3)甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式,VSEPR模型均為正四面體構(gòu)型,比較三者鍵角的大小
(4)C60室溫下為紫紅色固體,不溶于水,能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是
(5)C60晶胞結(jié)構(gòu)如圖,C60分子處于頂點和面心。已知:C60晶胞棱長為14.20? (1?=10-8cm),則C60的晶體密度為
C60體中存在正四面體空隙(例如1、3、6、7四點構(gòu)成)和正八面體空隙(例如3、6、7、8、9、12六點構(gòu)成),則平均每一個C60晶胞中有發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:53引用:2難度:0.4 -
2.鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學研究方面應(yīng)用非常廣泛。
(1)基態(tài)Fe原子的價層電子的電子排布圖為
(2)(NH4)2Fe(SO4)2?6H2O俗稱摩爾鹽
①NH4+電子式為
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序為
③SO42-中S原子的雜化方式為
(3)K3[Fe(CN)6]晶體中中心原子的配位數(shù)為
(4)FeS2晶體的晶胞如圖(c)所示。晶胞邊長為a nm、FeS2相對式量為M,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,其晶體密度的計算表達式為發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:7引用:1難度:0.7 -
3.N、P、As都是ⅤA族元素,且原子序數(shù)依次增大,它們的單質(zhì)和化合物在生產(chǎn)、生活中有廣泛應(yīng)用。請回答下列相關(guān)問題。
(1)基態(tài)磷原子的價電子排布式為
(2)已知白磷的分子式為P4,其結(jié)構(gòu)如圖1所示??茖W家目前合成了N4分子,其分子結(jié)構(gòu)與白磷類似。則N原子的雜化軌道類型是
(3)硝酸的沸點較低,從氫鍵的角度推斷其可能的原因是
(4)NO2-與鈷形成的配離子[Co(NO2)6]3-可用于檢驗K+的存在。NO2-離子的VSEPR模型名稱為
(5)鋁和白磷在一定條件下可以制備磷化鋁(AlP),磷化鋁晶胞的結(jié)構(gòu)如圖2所示。磷化鋁中,Al原子的配位數(shù)為發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:55引用:1難度:0.5
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