硅烷廣泛應(yīng)用在現(xiàn)代高科技領(lǐng)域。制備硅烷的反應(yīng)為：SiF4+NaAlH4=SiH4+NaAlF4。
（1）①基態(tài)硅原子的價(jià)層電子軌道表示式為 
，基態(tài)硅原子的電子有 88種空間運(yùn)動狀態(tài)。
②SiF4中，硅的化合價(jià)為+4價(jià)。硅顯正化合價(jià)的原因是 SiF4中氟和硅以共價(jià)鍵相連，F(xiàn)原子吸電子能力強(qiáng)，共用電子對偏向F原子，因此Si顯正價(jià)SiF4中氟和硅以共價(jià)鍵相連，F(xiàn)原子吸電子能力強(qiáng)，共用電子對偏向F原子，因此Si顯正價(jià)。
③下列說法正確的是 acac（填字母）。
a.SiH4的穩(wěn)定性比CH4的差
b.SiH4中4個Si-H的鍵長相同，H-Si-H的鍵角為90°
c.SiH4中硅原子以4個sp3雜化軌道分別與4個氫原子的1s軌道重疊，形成4個Si-Hσ鍵
④SiF4的沸點(diǎn)（-86℃）高于SiH4的沸點(diǎn)（-112℃），原因是 SiF4和SiH4均為分子晶體，且結(jié)構(gòu)相似，SiF4的相對分子質(zhì)量大，則分子間范德華力強(qiáng)，沸點(diǎn)更高SiF4和SiH4均為分子晶體，且結(jié)構(gòu)相似，SiF4的相對分子質(zhì)量大，則分子間范德華力強(qiáng)，沸點(diǎn)更高。
⑤鍵角：SiF4==SiH4，原因 SiF4和SiH4均為正四面體結(jié)構(gòu)，鍵角均為109°28′SiF4和SiH4均為正四面體結(jié)構(gòu)，鍵角均為109°28′。
（2）NaAlH4的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，晶胞的體積為a2b×10-21cm3。
①AlH-4的VSEPR模型名稱為 正四面體正四面體。
②用NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值。NaAlH4晶體密度為 216×1023a2bNA216×1023a2bNAg?cm-3（用含a、b、NA的代數(shù)式表示）。
③NaAlH4是一種具有應(yīng)用潛能的儲氫材料，其釋氫過程可用化學(xué)方程式表示為：3NaAlH4═Na3AlH6+2Al+3H2↑。
摻雜22Ti替換晶體中部分Al,更利于NaAlH4中H的解離，使體系更容易釋放氫。從結(jié)構(gòu)的角度推測其可能的原因：22Ti可以使基團(tuán)中的H原子處于近自由的狀態(tài)，22Ti替代Al時站位能最小22Ti可以使基團(tuán)中的H原子處于近自由的狀態(tài)，22Ti替代Al時站位能最小。
A
l
H
-
4
216
×
1
0
23
a
2
b
N
A
216
×
1
0
23
a
2
b
N
A
【答案】；8；SiF4中氟和硅以共價(jià)鍵相連，F(xiàn)原子吸電子能力強(qiáng)，共用電子對偏向F原子，因此Si顯正價(jià)；ac；SiF4和SiH4均為分子晶體，且結(jié)構(gòu)相似，SiF4的相對分子質(zhì)量大，則分子間范德華力強(qiáng)，沸點(diǎn)更高；=；SiF4和SiH4均為正四面體結(jié)構(gòu)，鍵角均為109°28′；正四面體；；22Ti可以使基團(tuán)中的H原子處于近自由的狀態(tài)，22Ti替代Al時站位能最小
；8；SiF4中氟和硅以共價(jià)鍵相連，F(xiàn)原子吸電子能力強(qiáng)，共用電子對偏向F原子，因此Si顯正價(jià)；ac；SiF4和SiH4均為分子晶體，且結(jié)構(gòu)相似，SiF4的相對分子質(zhì)量大，則分子間范德華力強(qiáng)，沸點(diǎn)更高；=；SiF4和SiH4均為正四面體結(jié)構(gòu)，鍵角均為109°28′；正四面體；216
×
1
0
23
a
2
b
N
A
【解答】
【點(diǎn)評】
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發(fā)布：2024/9/9 6:0:8組卷：13引用：1難度：0.6
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1．鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學(xué)研究方面應(yīng)用非常廣泛。
（1）基態(tài)Fe原子的價(jià)層電子的電子排布圖為；其最外層電子的電子云形狀為。
（2）（NH4）2Fe（SO4）2?6H2O俗稱摩爾鹽
①NH4+電子式為。
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->（用元素符號表示）
③SO42-中S原子的雜化方式為，VSEPR模型名稱為。
（3）K3[Fe（CN）6]晶體中中心原子的配位數(shù)為；晶體的配位體為（用化學(xué)符號表示）
（4）FeS2晶體的晶胞如圖（c）所示。晶胞邊長為a nm、FeS2相對式量為M，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，其晶體密度的計(jì)算表達(dá)式為g?cm-3發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：7引用：1難度：0.7 -
2．碳及其化合物有著重要用途?；卮鹣铝袉栴}：
（1）基態(tài)碳原子的價(jià)層電子排布圖為。
（2）在CH2=CHCN中，碳原子的雜化方式有、，所含σ鍵數(shù)目和π鍵數(shù)目之比為。
（3）甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式，VSEPR模型均為正四面體構(gòu)型，比較三者鍵角的大小（由大到小，用H一R-H表示），其原因是。
（4）C60室溫下為紫紅色固體，不溶于水，能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是。
（5）C60晶胞結(jié)構(gòu)如圖，C60分子處于頂點(diǎn)和面心。已知：C60晶胞棱長為14.20? （1?=10-8cm），則C60的晶體密度為g/cm3。
C60體中存在正四面體空隙（例如1、3、6、7四點(diǎn)構(gòu)成）和正八面體空隙（例如3、6、7、8、9、12六點(diǎn)構(gòu)成），則平均每一個C60晶胞中有個正四面體空隙和4個正八面體空隙。當(dāng)堿金屬元素全部占滿所有空隙后，這類C60摻雜物才具有超導(dǎo)性。若用金屬銫（Cs）填滿所有空隙，距離最近的兩個Cs原子間的距離為?。發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：53引用：2難度：0.4 -
3．N、P、As都是ⅤA族元素，且原子序數(shù)依次增大，它們的單質(zhì)和化合物在生產(chǎn)、生活中有廣泛應(yīng)用。請回答下列相關(guān)問題。
（1）基態(tài)磷原子的價(jià)電子排布式為。
（2）已知白磷的分子式為P4，其結(jié)構(gòu)如圖1所示?？茖W(xué)家目前合成了N4分子，其分子結(jié)構(gòu)與白磷類似。則N原子的雜化軌道類型是，N-N-N鍵的鍵角為。
（3）硝酸的沸點(diǎn)較低，從氫鍵的角度推斷其可能的原因是；請寫出兩種與NO3-互為等電子體的微?；瘜W(xué)式（請寫一個分子和一個離子）。
（4）NO2-與鈷形成的配離子[Co（NO2）6]3-可用于檢驗(yàn)K+的存在。NO2-離子的VSEPR模型名稱為，K3[Co（NO2）6]是黃色沉淀，該物質(zhì)中四種元素的電負(fù)性由大到小的順序是。
（5）鋁和白磷在一定條件下可以制備磷化鋁（AlP），磷化鋁晶胞的結(jié)構(gòu)如圖2所示。磷化鋁中，Al原子的配位數(shù)為，若最近兩個Al原子之間的距離為acm,用NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值，則該晶體的密度為g?cm-3（用含有以上字母的計(jì)算式表示）。發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：55引用：1難度：0.5
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