鎵及其化合物在合金工業(yè)、制藥工業(yè)、電池工業(yè)有廣泛的應(yīng)用?;卮鹣铝袉?wèn)題:
(1)基態(tài)Ga原子的最高能層電子排布圖為。
(2)LiGaH4是一種溫和的還原劑,其可由GaCl3和過(guò)量的LiH反應(yīng)制得:GaCl3+4LiH=LiGaH4+3LiCl。
①已知GaCl3的熔點(diǎn)為77.9℃,LiCl的熔點(diǎn)為605℃,兩者熔點(diǎn)差異較大的原因?yàn)?LiCl為離子晶體,微粒間作用力為離子鍵,GaCl3為分子晶體,微粒間的作用力為范德華力LiCl為離子晶體,微粒間作用力為離子鍵,GaCl3為分子晶體,微粒間的作用力為范德華力。
②比較[GaH4]-和GaCl3中的鍵角大小并給出相應(yīng)解釋:[GaH4]-空間構(gòu)型為正四面體形,鍵角為109°28′,GaCl3空間構(gòu)型為平面三角形,鍵角為120°,故[GaH4]-中的鍵角比GaCl3中的鍵角小[GaH4]-空間構(gòu)型為正四面體形,鍵角為109°28′,GaCl3空間構(gòu)型為平面三角形,鍵角為120°,故[GaH4]-中的鍵角比GaCl3中的鍵角小。
(3)一種含鎵的藥物結(jié)構(gòu)如圖所示:
①該化合物中環(huán)上C原子的雜化方式為 sp2sp2。該化合物中所含第二周期元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)?N>O>CN>O>C(用元素符號(hào)表示)。
②該化合物中Ga的配位數(shù)為 66;一個(gè)配體中含有的σ鍵的數(shù)目為 17NA17NA。
(4)Ga、Li和O三種原子形成的一種晶體基片在二極管中有重要用途。其四方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,用NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值,則其密度為 1.09×1032NAa2b1.09×1032NAa2bg/cm3(列出計(jì)算式即可)。
1
.
09
×
1
0
32
N
A
a
2
b
1
.
09
×
1
0
32
N
A
a
2
b
【答案】LiCl為離子晶體,微粒間作用力為離子鍵,GaCl3為分子晶體,微粒間的作用力為范德華力;[GaH4]-空間構(gòu)型為正四面體形,鍵角為109°28′,GaCl3空間構(gòu)型為平面三角形,鍵角為120°,故[GaH4]-中的鍵角比GaCl3中的鍵角小;sp2;N>O>C;6;17NA;
1
.
09
×
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0
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N
A
a
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【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
聲明:本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有,未經(jīng)書面同意,不得復(fù)制發(fā)布。
發(fā)布:2024/6/27 10:35:59組卷:16引用:1難度:0.5
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1.碳及其化合物有著重要用途?;卮鹣铝袉?wèn)題:
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(4)C60室溫下為紫紅色固體,不溶于水,能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是
(5)C60晶胞結(jié)構(gòu)如圖,C60分子處于頂點(diǎn)和面心。已知:C60晶胞棱長(zhǎng)為14.20? (1?=10-8cm),則C60的晶體密度為
C60體中存在正四面體空隙(例如1、3、6、7四點(diǎn)構(gòu)成)和正八面體空隙(例如3、6、7、8、9、12六點(diǎn)構(gòu)成),則平均每一個(gè)C60晶胞中有發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:53引用:2難度:0.4 -
2.鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學(xué)研究方面應(yīng)用非常廣泛。
(1)基態(tài)Fe原子的價(jià)層電子的電子排布圖為
(2)(NH4)2Fe(SO4)2?6H2O俗稱摩爾鹽
①NH4+電子式為
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->
③SO42-中S原子的雜化方式為
(3)K3[Fe(CN)6]晶體中中心原子的配位數(shù)為
(4)FeS2晶體的晶胞如圖(c)所示。晶胞邊長(zhǎng)為a nm、FeS2相對(duì)式量為M,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,其晶體密度的計(jì)算表達(dá)式為發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:7引用:1難度:0.7 -
3.N、P、As都是ⅤA族元素,且原子序數(shù)依次增大,它們的單質(zhì)和化合物在生產(chǎn)、生活中有廣泛應(yīng)用。請(qǐng)回答下列相關(guān)問(wèn)題。
(1)基態(tài)磷原子的價(jià)電子排布式為
(2)已知白磷的分子式為P4,其結(jié)構(gòu)如圖1所示??茖W(xué)家目前合成了N4分子,其分子結(jié)構(gòu)與白磷類似。則N原子的雜化軌道類型是
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