2023年重慶市主城區(qū)高考物理二診試卷
發(fā)布：2024/4/20 14:35:0
一、選擇題：共43分（一）單項(xiàng)選擇題：共7題，每題4分，共28分。在每小題給出的四個(gè)選項(xiàng)中，只有一項(xiàng)是符合題目要求的。
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1．2021年12月20日，我國“人造太陽”打破世界紀(jì)錄，實(shí)現(xiàn)了1056秒的長脈沖高參數(shù)等離子體運(yùn)行。其內(nèi)部發(fā)生輕核聚變的核反應(yīng)方程為
H+21H→31He+x,釋放出能量，一段時(shí)間后測得反應(yīng)物的質(zhì)量虧損了Δm,記光速為c。下列說法正確的是（ ?。?/h2>42組卷：100引用：2難度：0.7 -
2．如圖甲為某風(fēng)景旅游區(qū)的觀光索道。某段時(shí)間其運(yùn)行的簡化示意圖如圖乙，纜索傾角為37°，纜車通過卡扣固定懸掛在纜索上，在纜索的牽引下一起斜向上勻速運(yùn)動(dòng)。已知纜車和卡扣的總質(zhì)量為m,運(yùn)行過程中纜車始終處于豎直方向，重力加速度為g,sin37°=0.6，cos37°=0.8。下列說法正確的是（ ?。?br />
組卷：180引用：2難度：0.5 -
3．如圖甲，在垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場區(qū)域中有一開口很小的圓形線圈，在線圈開口左端連接一阻值為R=6Ω的電阻，一個(gè)電容為C=1.25×10-3F的電容器與R并聯(lián)。已知圓形線圈面積為0.2m2，圓形線圈電阻為r=4Ω，其余導(dǎo)線電阻不計(jì)，磁感應(yīng)強(qiáng)度B隨時(shí)間t變化的關(guān)系如圖乙所示。在0～4s內(nèi)下列說法正確的是（ ?。?br />
組卷：167引用：2難度：0.5 -
4．某種反光材料是半徑為R、球心為O的半球形，其截面如圖，A、B為半球底面直徑的端點(diǎn)?，F(xiàn)有一組光線從距離O點(diǎn)的C點(diǎn)垂直于AB射入半球，光線恰好在球面發(fā)生全反射。則此反光材料的折射率為（ ?。?/h2>12R組卷：262引用：2難度：0.7 -
5．一定質(zhì)量的理想氣體從狀態(tài)A，經(jīng)狀態(tài)B、狀態(tài)C，最后變化到狀態(tài)A，其變化過程的p-T圖像如圖，AB的延長線通過坐標(biāo)原點(diǎn)，BC平行于T軸，CA平行于p軸。下列說法正確的是（ ）組卷：157引用：2難度：0.5
二、非選擇題：共5題，共57分。
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14．如圖，光滑地面上一足夠長的木板C，其質(zhì)量為2m,木板右端在M處，距M點(diǎn)L處有一質(zhì)量為6m大物塊A，一質(zhì)量為m的滑塊B，以v0速度滑上木板C左端，滑塊B與木板C間動(dòng)摩擦因數(shù)為μ，滑塊B與木板C共速時(shí)木板C恰好與大物塊A發(fā)生彈性碰撞，且時(shí)間極短?；瑝KB始終未脫離木板C，求：
（1）滑塊B與木板C間的動(dòng)摩擦因數(shù)；
（2）木板C與大物塊A碰后瞬間二者速度大小及木板C碰后至靜止所需時(shí)間。組卷：59引用：2難度：0.4 -
15．離子注入是芯片制造中一道重要工序，如圖是其工作示意圖，離子源發(fā)出質(zhì)量為m的離子沿水平方向進(jìn)入速度選擇器，然后從M點(diǎn)進(jìn)入磁分析器（截面為內(nèi)外半徑分別為R1和R2的四分之一圓環(huán)），從N點(diǎn)射出，M、N分別為磁分析器ab邊界和cd邊界的中點(diǎn)，接著從棱長為L的正方體偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)上表面中心沿NO豎直注入，偏轉(zhuǎn)后落在與偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)底面平行的距離為
的水平面晶圓上（O為坐標(biāo)原點(diǎn)）。已知各器件的電場強(qiáng)度均為E，磁感應(yīng)強(qiáng)度均為B，偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)中的電場、磁場方向與晶圓面x軸正方向同向。不計(jì)離子重力，打在晶圓上的離子，經(jīng)過偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)的角度都很小。當(dāng)θ很小時(shí)，有L2。求：sinθ≈tanθ≈θ，cosθ≈1-12θ2
（1）離子通過速度選擇器后的速度大小v及磁分析器選擇出來離子的電荷量；
（2）偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)僅加電場時(shí)，離子在穿出偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)整個(gè)過程中電勢能的變化量；
（3）偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)僅加磁場時(shí)，離子注入晶圓的位置坐標(biāo)（x,y）（用R1、R2及L表示）。
組卷：41引用：2難度：0.3