2023年廣西玉林市高考物理三模試卷

一、選擇題：本題共8小題，每小題6分。在每小題給出的四個(gè)選項(xiàng)中，第1～5題只有一項(xiàng)符合題目要求，第6～8題有多項(xiàng)符合題目要求。全部選對(duì)的得6分，選對(duì)但不全的得3分，有選錯(cuò)或不答的得0分。

• 1．2021年10月我國(guó)發(fā)射的神舟十三號(hào)飛船實(shí)現(xiàn)了和空間站徑向?qū)拥男峦黄?，如圖甲所示。假定對(duì)接前飛船在橢圓軌道Ⅰ上，如圖乙所示，Ⅱ?yàn)榭臻g站圓軌道，軌道半徑為kR（R為地球半徑），A為兩軌道交點(diǎn)，BI為飛船軌道近地點(diǎn)。地球表面重力加速度為g,下列說(shuō)法中正確的是（　?。?br />

  A．空間站在圓軌道Ⅱ上的向心加速度大于g

  B．飛船和空間站在A處所受的萬(wàn)有引力相同

  C．船在A處的機(jī)械能大于B處的機(jī)械能

  D．飛船在B處的速度 v B ＞ g R k
  組卷：118引用：3難度：0.5

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• 2．如圖所示，將一質(zhì)量為m的小球靠近墻面豎直向上拋出，圖甲是小球向上運(yùn)動(dòng)時(shí)的頻閃照片，圖乙是小球下落的頻閃照片。O點(diǎn)是運(yùn)動(dòng)的最高點(diǎn)，甲乙兩次閃光頻率相等，重力加速度為g,假設(shè)小球所受的阻力大小不變，則可估算小球受到的阻力大小約為（　　）

  A．mg

  B． 1 2 mg

  C． 1 5 mg

  D． 1 10 mg
  組卷：128引用：3難度：0.9

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• 3．如圖所示，質(zhì)量為m的圓環(huán)A，跨過(guò)定滑輪的細(xì)繩一端系在圓環(huán)A上，另一端系一物塊B。細(xì)繩對(duì)圓環(huán)A的拉力方向水平向左。設(shè)最大靜摩擦力等于滑動(dòng)摩擦力，圓環(huán)A與固定直桿間動(dòng)摩擦因數(shù)μ=0.5，直桿傾角θ=37°，cos37°=0.8，要保證A不向上滑動(dòng)，所懸掛的物塊B質(zhì)量不能超過(guò)（　?。?/h2>

  A．2m

  B． 5 3 m

  C． 5 4 m

  D． 4 3 m
  組卷：321引用：2難度：0.6

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• 4．如圖所示，圖甲用于研究光電效應(yīng)的實(shí)驗(yàn)裝置，圖乙是氫原子的能級(jí)結(jié)構(gòu)。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)n=4直接躍遷到n=2時(shí)發(fā)出的光照射圖實(shí)驗(yàn)裝置的陰極時(shí)，發(fā)現(xiàn)電流表示數(shù)不為零，慢慢移動(dòng)滑動(dòng)變阻器觸點(diǎn)c,發(fā)現(xiàn)電壓表讀數(shù)等于0.8V時(shí)，電流表讀數(shù)恰好為零，電子的電荷量為e,下列說(shuō)法正確的是（　?。?br />

  A．n=4躍遷到n=2的光電子最大初動(dòng)能為2.55eV

  B．滑動(dòng)變阻器觸點(diǎn)c向b側(cè)緩慢移動(dòng)，電流表讀數(shù)逐漸減小為零

  C．其他條件不變，一群氫原子處于n=4能級(jí)躍遷發(fā)出的光，總共有3種光可以發(fā)生光電效應(yīng)

  D．用不同頻率的光子照射該實(shí)驗(yàn)裝置，記錄電流表恰好讀數(shù)為零的電壓表讀數(shù)，根據(jù)以上頻率和電壓可以精確測(cè)量普朗克常數(shù)
  組卷：75引用：2難度：0.6

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• 5．2021年中國(guó)全超導(dǎo)托卡馬克核聚變實(shí)驗(yàn)裝置創(chuàng)造了新的紀(jì)錄。為粗略了解等離子體在托卡馬克環(huán)形真空室內(nèi)的運(yùn)動(dòng)狀況，某同學(xué)將一小段真空室內(nèi)的電場(chǎng)和磁場(chǎng)理想化為方向均水平向右的勻強(qiáng)電場(chǎng)和勻強(qiáng)磁場(chǎng)（如圖），電場(chǎng)強(qiáng)度大小為E，磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B。若某電荷量為q的正離子在此電場(chǎng)和磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)，其速度平行于磁場(chǎng)方向的分量大小為v₁，垂直于磁場(chǎng)方向的分量大小為v₂，不計(jì)離子重力，則（　?。?/h2>

  A．電場(chǎng)力的瞬時(shí)功率為qE v 2 1 + v 2 2

  B．該離子受到的洛倫茲力大小為qv1B

  C．v2與v1的比值不斷變大

  D．該離子的加速度大小不變
  組卷：1490引用：8難度：0.5

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[物理——選修3—4]

• 15．光刻機(jī)是生產(chǎn)大規(guī)模集成電路（芯片）的核心設(shè)備，“浸沒(méi)式光刻”是一種通過(guò)在光刻膠和投影物鏡之間加入浸沒(méi)液體，從而減小曝光波長(zhǎng)提高分辨率的技術(shù)。如圖所示，若浸沒(méi)液體的折射率為1.40，當(dāng)不加液體時(shí)光刻膠的曝光波長(zhǎng)為193nm；加上液體后，光在液體中的傳播速度為

  m/s,波長(zhǎng)變?yōu)?

  nm。（光在真空中的傳播速度c=3.0×10⁸m/s,計(jì)算結(jié)果均保留三位有效數(shù)字）
  組卷：24引用：4難度：0.8

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• 16．如圖為沿x軸方向傳播的一列簡(jiǎn)諧橫波，t₁=0.4s時(shí)的波形如圖中的實(shí)線所示，t₂=0.7s時(shí)的波形如圖中的虛線所示，已知該橫波的傳播周期大于0.6s。
  （1）求該波的速度以及傳播方向；
  （2）x=2m處的質(zhì)點(diǎn)在0～2s的時(shí)間內(nèi)通過(guò)的路程為3m,求該波的振幅以及x=2m處質(zhì)點(diǎn)的振動(dòng)方程。
  組卷：263引用：3難度：0.5

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