光電材料在能源、軍事等領(lǐng)域有重要應(yīng)用,分為無(wú)機(jī)光電材料如ZnS、ZnSe、GaAs、(CuGa)0.5ZnS2等,及有機(jī)光電材料(如圖1所示化合物)?;卮鹣铝袉?wèn)題:
(1)基層Zn原子的價(jià)層電子排布圖為 ;Ga、As、Se的第一電離能由大到小的順序?yàn)?As>Se>GaAs>Se>Ga。
(2)圖1所示化合物中含有的化學(xué)鍵類型有 ACAC(填選項(xiàng)字母),N原子的雜化方式為 sp2sp2。
A.共價(jià)鍵
B.離子鍵
C.配位鍵
D.氫鍵
(3)在水溶液中,以H2O為電子供體,CO2在(CuGa)0.5ZnS2光催化劑上可還原為CO,部分氧化物的沸點(diǎn)如表所示:
氧化物 | H2O | SO2 | CO2 |
沸點(diǎn)/℃ | 100 | -10 | -78.5 |
三種氧化物形成的晶體均為分子晶體,H2O分子間能形成氫鍵,SO2為極性分子,CO2為非極性分子,且SO2相對(duì)分子質(zhì)量大于CO2
三種氧化物形成的晶體均為分子晶體,H2O分子間能形成氫鍵,SO2為極性分子,CO2為非極性分子,且SO2相對(duì)分子質(zhì)量大于CO2
。②SO2的VSEPR模型為
平面三角形
平面三角形
。③H2O和H2S分子中,鍵角更大的是
H2O
H2O
(填化學(xué)式)。(4)ZnS和ZnSe晶體的立方晶胞結(jié)構(gòu)相似,均可看作將金剛石晶胞(如圖2)內(nèi)部的碳原子用Zn代替,晶胞頂角與面心位置的碳原子被S或Se代替。
①ZnS晶體中,一個(gè)晶胞含有S原子數(shù)目為
4
4
。②若阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,ZnS晶體的密度為ρ1g?cm-3,ZnSe晶體的密度為ρ2g?cm-3,則ZnS晶體與ZnSe晶體的晶胞參數(shù)之比為
3
97
ρ
2
144
ρ
1
3
97
ρ
2
144
ρ
1
【答案】;As>Se>Ga;AC;sp2;三種氧化物形成的晶體均為分子晶體,H2O分子間能形成氫鍵,SO2為極性分子,CO2為非極性分子,且SO2相對(duì)分子質(zhì)量大于CO2;平面三角形;H2O;4;
3
97
ρ
2
144
ρ
1
【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
聲明:本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有,未經(jīng)書(shū)面同意,不得復(fù)制發(fā)布。
發(fā)布:2024/6/27 10:35:59組卷:52引用:3難度:0.5
相似題
-
1.生活、實(shí)驗(yàn)室中接觸的很多物質(zhì)含有第二周期的元素,比如:石墨、Na2O、配合物Na2[Fe(CN)5(NO)]等.
(1)①Na2[Fe(CN)5(NO)]中中心離子的未成對(duì)電子數(shù)為
②Na2[Fe(CN)5(NO)]中原子序數(shù)之和為15的兩種元素中第一電離能較大的是
(2)石墨的結(jié)構(gòu)如圖1所示.若已知每個(gè)共價(jià)鍵的鍵長(zhǎng)為142pm,可以計(jì)算出每個(gè)正六邊形的面積約為5.24×10-20m2,則將12g石墨單質(zhì)中的每一層都剝離出來(lái)彼此緊密連接,其總面積約為
(3)Na2O的晶胞結(jié)構(gòu)如圖2所示,已知該晶胞的密度為ρ g?cm-3,阿伏加德羅常數(shù)為NA,則晶胞邊長(zhǎng)a=發(fā)布:2024/12/20 8:0:1組卷:8引用:1難度:0.5 -
2.一種從照相底片中回收單質(zhì)銀的方法如下:
步驟1:用Na2S2O3溶液浸泡照相底片,未曝光的AgBr轉(zhuǎn)化成Na3[Ag(S2O3)2]而溶解。
步驟2:在步驟1所得溶液中加稍過(guò)量Na2S溶液,充分反應(yīng)后過(guò)濾出黑色沉淀。
步驟3:將黑色沉淀在空氣中灼燒,回收單質(zhì)銀。
下列說(shuō)法正確的是( ?。?/h2>發(fā)布:2024/12/20 1:30:2組卷:79引用:5難度:0.8 -
3.有關(guān)晶體的結(jié)構(gòu)如圖所示,下列說(shuō)法中錯(cuò)誤的是( ?。?br />
發(fā)布:2024/12/20 16:0:2組卷:174引用:4難度:0.7
把好題分享給你的好友吧~~