元素單質(zhì)及其化合物有廣泛用途,請(qǐng)根據(jù)周期表中第三周期元素相關(guān)知識(shí)回答下列問題:
(1)按原子序數(shù)遞增的順序(稀有氣體除外),下列說法正確的是bb
a.原子半徑和離子半徑均減小; b.金屬性減弱,非金屬性增強(qiáng);
c.氧化物對(duì)應(yīng)的水化物堿性減弱,酸性增強(qiáng); d.單質(zhì)的熔點(diǎn)降低.
(2)原子最外層電子數(shù)與次外層電子數(shù)相同的元素名稱為氬氬,氧化性最弱的簡(jiǎn)單陽離子是Na+Na+
(3)已知:
化合物 | MgO | Al2O3 | MgCl2 | AlCl3 |
類型 | 離子化合物 | 離子化合物 | 離子化合物 | 共價(jià)化合物 |
熔點(diǎn)/℃ | 2800 | 2050 | 714 | 191 |
MgO的熔點(diǎn)高,熔融時(shí)消耗更多能量,增加生產(chǎn)成本
MgO的熔點(diǎn)高,熔融時(shí)消耗更多能量,增加生產(chǎn)成本
制鋁時(shí),電解Al2O3而不電解AlCl3的原因是
氯化鋁是共價(jià)化合物,熔融態(tài)氯化鋁難導(dǎo)電
氯化鋁是共價(jià)化合物,熔融態(tài)氯化鋁難導(dǎo)電
(4)晶體硅(熔點(diǎn)1410℃)是良好的半導(dǎo)體材料,由粗硅制純硅過程如下:
Si(粗)
C
l
2
460
℃
蒸餾
H
2
1100
℃
寫出SiCl4的電子式:.在上述由SiCl4制純硅的反應(yīng)中,測(cè)得每生成1.12kg純硅需吸收a kJ熱量,寫出該反應(yīng)的熱化學(xué)方程式:
2H2(g)+SiCl4(g) Si(s)+4HCl(g)△H=+0.025akJ?mol-1
1100
℃
2H2(g)+SiCl4(g) Si(s)+4HCl(g)△H=+0.025akJ?mol-1
1100
℃
(5)P2O5是非氧化性干燥劑,下列氣體不能用濃硫酸干燥,可用P2O5干燥的是
b
b
a.NH3 b.HI c.SO2 d.CO2
(6)KClO3可用于實(shí)驗(yàn)室制O2,若不加催化劑,400℃時(shí)分解只生成兩種鹽,其中一種是無氧酸鹽,另一種鹽的陰陽離子個(gè)數(shù)比為1:1,寫出該反應(yīng)的化學(xué)方程式:
4KClO3 KCl+3KClO4
400
℃
4KClO3 KCl+3KClO4
.400
℃
【考點(diǎn)】硅的性質(zhì)及用途;熱化學(xué)方程式;同一周期內(nèi)元素性質(zhì)的遞變規(guī)律與原子結(jié)構(gòu)的關(guān)系;位置結(jié)構(gòu)性質(zhì)的相互關(guān)系應(yīng)用;同一周期內(nèi)元素性質(zhì)的遞變規(guī)律的探究實(shí)驗(yàn).
【答案】b;氬;Na+;MgO的熔點(diǎn)高,熔融時(shí)消耗更多能量,增加生產(chǎn)成本;氯化鋁是共價(jià)化合物,熔融態(tài)氯化鋁難導(dǎo)電;;2H2(g)+SiCl4(g) Si(s)+4HCl(g)△H=+0.025akJ?mol-1;b;4KClO3 KCl+3KClO4
1100
℃
400
℃
【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
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發(fā)布:2024/4/20 14:35:0組卷:1832引用:29難度:0.5
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