近日，《自然-通訊》發(fā)表了我國復(fù)旦大學(xué)魏大程團隊開發(fā)的一種共形六方氮化硼修飾技術(shù)，可直接在二氧化硅表面生長高質(zhì)量六方氮化硼薄膜。回答下列問題：
（1）下列N原子的電子排布圖表示的狀態(tài)中，能量由低到高的順序是 A＜C＜B＜DA＜C＜B＜D。（用字母表示）
A.
B.
C.
D.
（2）與硼元素處于同周期且相鄰的兩種元素和硼元素的第一電離能由大到小的順序是 C＞Be＞BC＞Be＞B。（用元素符號表示）
（3）SiO44-的立體構(gòu)型為 正四面體正四面體，中心原子Si的軌道雜化類型為 sp3sp3。
（4）與六元環(huán)狀物質(zhì)（HB-NH）3互為等電子體的有機分子為 
。（填結(jié)構(gòu)簡式）
（5）自然界中含硼元素的鈉鹽是一種天然礦藏，其化學(xué)式寫作Na2B4O7?10H2O，實際上它的結(jié)構(gòu)單元是由兩個H3BO3和兩個[B（OH）4]-縮合而成的雙六元環(huán)，應(yīng)該寫成Na2[B4O5（OH）4]?8H2O。其陰離子的結(jié)構(gòu)如圖1所示，它的陰離子可形成鏈狀結(jié)構(gòu)。
①該晶體中不存在的作用力是 CC。（填選項字母）
A．離子鍵
B．共價鍵
C．金屬鍵
D．范德華力
E．氫鍵
②陰離子通過 氫鍵氫鍵（填作用力的名稱）相互結(jié)合形成鏈狀結(jié)構(gòu)。
（6）Si3N4硬度大、熔點高，常作結(jié)構(gòu)陶瓷材料。C3N4與Si3N4結(jié)構(gòu)相似，請比較二者熔點高低，并說明理由：C3N4的熔點高Si3N4的熔點，因為C的原子半徑小于Si原子半徑，C-N鍵的鍵長小于Si-N鍵的鍵長，C-N鍵的鍵能大于Si-N鍵的鍵能C3N4的熔點高Si3N4的熔點，因為C的原子半徑小于Si原子半徑，C-N鍵的鍵長小于Si-N鍵的鍵長，C-N鍵的鍵能大于Si-N鍵的鍵能。
（7）立方氮化硼屬于原子晶體，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖2所示。其中硼原子的配位數(shù)為 44，已知立方氮化硼的密度為dg/cm3，B原子半徑為xpm,N原子半徑為ypm,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，則該晶胞中原子的空間利用率為 4π（x3+y3）dNA75×1030×100%4π（x3+y3）dNA75×1030×100%。（用含d、x、y、NA的代數(shù)式表示）
4
π
（
x
3
+
y
3
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d
N
A
75
×
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0
30
×
100
%
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【答案】A＜C＜B＜D；C＞Be＞B；正四面體；sp3；；C；氫鍵；C3N4的熔點高Si3N4的熔點，因為C的原子半徑小于Si原子半徑，C-N鍵的鍵長小于Si-N鍵的鍵長，C-N鍵的鍵能大于Si-N鍵的鍵能；4；
；C；氫鍵；C3N4的熔點高Si3N4的熔點，因為C的原子半徑小于Si原子半徑，C-N鍵的鍵長小于Si-N鍵的鍵長，C-N鍵的鍵能大于Si-N鍵的鍵能；4；4
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【解答】
【點評】
聲明：本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有，未經(jīng)書面同意，不得復(fù)制發(fā)布。
發(fā)布：2024/6/27 10:35:59組卷：7引用：1難度：0.6
相似題
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1．A、B、C、D、E、F是元素周期表中前四周期元素，且原子序數(shù)依次增大，其相關(guān)信息如下：
①A的周期序數(shù)等于其主族序數(shù)；
②B、D原子的L層中都有兩個未成對電子；
③E元素原子最外層電子排布式為（n+1）Sn（n+1）Pn-1；
④F原子有四個能層，K、L、M全充滿，最外層只有一個電子．
試回答下列問題：
（1）基態(tài)E原子中，電子占據(jù)的最高能層符號為，F(xiàn)的價層電子排布式為．
（2）B、C、D的電負性由大到小的順序為（用元素符號填寫），C與A形成的分子CA3的VSEPR模型為．
（3）B和D分別與A形成的化合物的穩(wěn)定性：BA4小于A2D，原因是．
（4）以E、F的單質(zhì)為電極，組成如圖1所示的裝置，E極的電極反應(yīng)式為．
（5）向盛有F的硫酸鹽FSO4的試管里逐滴加入氨水，首先出現(xiàn)藍色沉淀，繼續(xù)滴加氨水，藍色沉淀溶解，得到深藍色溶液，再向深藍色透明溶液中加入乙醇，析出深藍色晶體．藍色沉淀溶解的離子方程式為．
（6）F的晶胞結(jié)構(gòu)（面心立方）如圖2所示：已知兩個最近的F的距離為acm,F的密度為g/cm3（阿伏加德羅常數(shù)用NA表示，F(xiàn)的相對原子質(zhì)量用M表示）發(fā)布：2025/1/18 8:0:1組卷：14引用：2難度：0.5 -
2．碳及其化合物有著重要用途。回答下列問題：
（1）基態(tài)碳原子的價層電子排布圖為。
（2）在CH2=CHCN中，碳原子的雜化方式有、，所含σ鍵數(shù)目和π鍵數(shù)目之比為。
（3）甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式，VSEPR模型均為正四面體構(gòu)型，比較三者鍵角的大小（由大到小，用H一R-H表示），其原因是。
（4）C60室溫下為紫紅色固體，不溶于水，能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是。
（5）C60晶胞結(jié)構(gòu)如圖，C60分子處于頂點和面心。已知：C60晶胞棱長為14.20? （1?=10-8cm），則C60的晶體密度為g/cm3。
C60體中存在正四面體空隙（例如1、3、6、7四點構(gòu)成）和正八面體空隙（例如3、6、7、8、9、12六點構(gòu)成），則平均每一個C60晶胞中有個正四面體空隙和4個正八面體空隙。當(dāng)堿金屬元素全部占滿所有空隙后，這類C60摻雜物才具有超導(dǎo)性。若用金屬銫（Cs）填滿所有空隙，距離最近的兩個Cs原子間的距離為?。發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：53引用：2難度：0.4 -
3．鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學(xué)研究方面應(yīng)用非常廣泛。
（1）基態(tài)Fe原子的價層電子的電子排布圖為；其最外層電子的電子云形狀為。
（2）（NH4）2Fe（SO4）2?6H2O俗稱摩爾鹽
①NH4+電子式為。
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序為（用元素符號表示）
③SO42-中S原子的雜化方式為，VSEPR模型名稱為。
（3）K3[Fe（CN）6]晶體中中心原子的配位數(shù)為；晶體的配位體為（用化學(xué)符號表示）
（4）FeS2晶體的晶胞如圖（c）所示。晶胞邊長為a nm、FeS2相對式量為M，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，其晶體密度的計算表達式為g?cm-3發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：7引用：1難度：0.7
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