元素周期表第ⅢA族包括B、Al、Ga等元素，它們參與形成的化合物有重要研究和應(yīng)用價值，回答下列問題：
（1）基態(tài)Ga原子的價電子排布式為 4s24p14s24p1；Ga、As和Se的第一電離能由小到大的順序是 Ga＜Se＜AsGa＜Se＜As。
（2）實驗發(fā)現(xiàn)，氯化鋁溶于非極性溶劑中或處于熔融狀態(tài)、蒸氣狀態(tài)時，都以二聚態(tài)（A12Cl6）的形式存在。其球棍模型如圖甲所示。
①該分子中A1原子采取 sp3sp3雜化。
②Al2Cl6與過量NaOH溶液反應(yīng)生成Na[Al（OH）4]，[Al（OH）4]-中存在的化學鍵有 BEFBEF（填序號）。
A離子鍵
B.極性共價鍵
C.金屬鍵
D.非極性共價鍵
E.配位鍵
F.σ鍵
G.氫鍵
（3）更高溫度下Al2Cl6二聚體離解成AlCl3，BF3是AlCl3的一種等電子體，根據(jù)價層電子對互斥理論判斷BF3的分子構(gòu)型為 平面正三角形平面正三角形；寫出BF3的一種帶負電荷的等電子體粒子：CO32-、NO3-等CO32-、NO3-等。
（4）GaN是第三代半導(dǎo)體材料的研究熱點，在干燥的NH3氣流中焙燒磨細的GaAs可制得GaN。GaN熔點約為1500℃，GaAs熔點為1 238℃，GaN熔點高于GaAs的原因是 二者均為原子晶體，且GaN中N原子半徑小，Ga-N鍵長比Ga-As鍵短，鍵能更大，熔點更高二者均為原子晶體，且GaN中N原子半徑小，Ga-N鍵長比Ga-As鍵短，鍵能更大，熔點更高。
（5）GaN的其中一種晶胞結(jié)構(gòu)如圖乙所示，與金剛石的晶體結(jié)構(gòu)高度相似。該晶胞中Ga原子處于N原子形成的 正四面體形正四面體形（填“正四面體形”或“正八面體形”）空隙。已知GaN的密度為ρg?cm-3，Ga和N的摩爾質(zhì)量分別為a g?moL-1和b g?moL-1，NA為阿伏加德羅常數(shù)，則GaN晶胞的邊長為 34（a+b）ρNA×101034（a+b）ρNA×1010pm（列出表達式）。
3
4
（
a
+
b
）
ρ
N
A
3
4
（
a
+
b
）
ρ
N
A
【考點】晶胞的計算．
【答案】4s24p1；Ga＜Se＜As；sp3；BEF；平面正三角形；CO32-、NO3-等；二者均為原子晶體，且GaN中N原子半徑小，Ga-N鍵長比Ga-As鍵短，鍵能更大，熔點更高；正四面體形；×1010
3
4
（
a
+
b
）
ρ
N
A
【解答】
【點評】
聲明：本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有，未經(jīng)書面同意，不得復(fù)制發(fā)布。
發(fā)布：2024/4/20 14:35:0組卷：18引用：2難度：0.4
相似題
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1．生活、實驗室中接觸的很多物質(zhì)含有第二周期的元素，比如：石墨、Na2O、配合物Na2[Fe（CN）5（NO）]等．
（1）①Na2[Fe（CN）5（NO）]中中心離子的未成對電子數(shù)為個．（寫具體數(shù)字）
②Na2[Fe（CN）5（NO）]中原子序數(shù)之和為15的兩種元素中第一電離能較大的是（寫元素名稱），二者能形成原子個數(shù)比為1：3的一種常見微粒，推測這種微粒的空間構(gòu)型為．
（2）石墨的結(jié)構(gòu)如圖1所示．若已知每個共價鍵的鍵長為142pm,可以計算出每個正六邊形的面積約為5.24×10-20m2，則將12g石墨單質(zhì)中的每一層都剝離出來彼此緊密連接，其總面積約為m2（NA=6.02×1023）．（保留3位有效數(shù)字，用科學記數(shù)法表達）
（3）Na2O的晶胞結(jié)構(gòu)如圖2所示，已知該晶胞的密度為ρ g?cm-3，阿伏加德羅常數(shù)為NA，則晶胞邊長a=cm.發(fā)布：2024/12/20 8:0:1組卷：8引用：1難度：0.5 -
2．一種從照相底片中回收單質(zhì)銀的方法如下：
步驟1：用Na2S2O3溶液浸泡照相底片，未曝光的AgBr轉(zhuǎn)化成Na3[Ag（S2O3）2]而溶解。
步驟2：在步驟1所得溶液中加稍過量Na2S溶液，充分反應(yīng)后過濾出黑色沉淀。
步驟3：將黑色沉淀在空氣中灼燒，回收單質(zhì)銀。
下列說法正確的是（ ?。?/h2>發(fā)布：2024/12/20 1:30:2組卷：79引用：5難度：0.8 -
3．有關(guān)晶體的結(jié)構(gòu)如圖所示，下列說法中錯誤的是（ ?。?br />
發(fā)布：2024/12/20 16:0:2組卷：171引用：4難度：0.7
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