氮化鎵（GaN）、磷化鎵（GaP）、砷化鎵（GaAs）材料都是半導體材料。請回答下列問題：
（1）寫出基態(tài)P原子的核外電子排布式

1s²2s²2p⁶3s²3p³

1s²2s²2p⁶3s²3p³

。
（2）GaN、GaP、GaAs具有相同的晶體類型，熔點如表所示，分析其變化原因：

都為原子晶體，熔沸點由共價鍵的鍵能決定，原子半徑N＜P＜As,鍵長Ga—N＜Ga-P＜Ga-As,鍵能Ga—N＞Ga-P＞Ga-As,則熔沸點逐漸降低

都為原子晶體，熔沸點由共價鍵的鍵能決定，原子半徑N＜P＜As,鍵長Ga—N＜Ga-P＜Ga-As,鍵能Ga—N＞Ga-P＞Ga-As,則熔沸點逐漸降低

。

晶體	GaN	GaP	GaAs
熔點/oC	1700	1477	1238

（3）GaAs可由（CH₃）₃Ga和AsH₃反應制得。在常溫常壓下，（CH₃）₃Ga為無色透明液體，（CH₃）₃Ga中Ga原子的雜化方式為

sp²

sp²

；AsH₃分子的空間構型為

三角錐形

三角錐形

；與AsH₃互為等電子體的一種微粒為

NH₃

NH₃

。
（4）一種四方結構的超導化合物的晶胞如圖1所示，晶胞中Sm和As原子的投影位置如圖2所示。圖中F^-和O^2-共同占據(jù)晶胞的上下底面位置，若兩者的比例依次用x和1-x代表，通過測定密度ρ和晶胞參數(shù)，可以計算該物質的x值，完成它們關系表達式：ρ=

2

×

（

297

+

3

x

）

a

2

c

N

A

×

1

0

-

30

2

×

（

297

+

3

x

）

a

2

c

N

A

×

1

0

-

30

g?cm^-3。

以晶胞參數(shù)為單位長度建立的坐標系可以表示晶胞中各原子的位置，稱作原子分數(shù)坐標，例如圖1中原子1的坐標為（

1

2

，

1

2

，

1

2

），則原子2的坐標為

（

1

2

，

1

2

，0）

（

1

2

，

1

2

，0）

。