銀離子導(dǎo)體是發(fā)現(xiàn)最早的固體電解質(zhì)，同時(shí)也是應(yīng)用面最廣的固體電解質(zhì)，如制作庫侖計(jì)、電子開關(guān)、壓敏元件、氣敏傳感器、記憶元件、電容器等電化學(xué)器件。
回答以下問題：
（1）Ag⁺的價(jià)層電子排布式為4d¹⁰，寫出Ag在周期表中的位置

第五周期第ⅠB族

第五周期第ⅠB族

。
（2）第三周期各元素的氯化物熔點(diǎn)、沸點(diǎn)數(shù)據(jù)如下表。

	NaCl	MgCl2	AlCl3	SiCl4	PCl3	S2Cl2
熔點(diǎn)/K	1074	987	465	205	181	193
沸點(diǎn)/K	1686	1691	453（升華）	216	349	411

請(qǐng)解釋第三周期氯化物沸點(diǎn)從左到右變化的原因：

從左到右第三周期元素電負(fù)性增強(qiáng)，逐漸由離子晶體轉(zhuǎn)化成分子晶體，沸點(diǎn)降低；但從SiCl₄開始，相對(duì)分子質(zhì)量雖然減小，但分子的極性增強(qiáng)，分子間作用力增大，沸點(diǎn)升高

從左到右第三周期元素電負(fù)性增強(qiáng)，逐漸由離子晶體轉(zhuǎn)化成分子晶體，沸點(diǎn)降低；但從SiCl₄開始，相對(duì)分子質(zhì)量雖然減小，但分子的極性增強(qiáng)，分子間作用力增大，沸點(diǎn)升高

。
（3）偏高碘酸HIO₄是無機(jī)非混合酸中氧化性極強(qiáng)的酸之一，可將Mn氧化為HMnO₄，將Fe²⁺氧化為H₂FeO₄。HIO₄的中心原子雜化形式是

sp³雜化

sp³雜化

，構(gòu)成HIO₄的三種元素電負(fù)性大小順序是

O＞I＞H

O＞I＞H

，在HIO₄晶體中存在

B、D、E、F

B、D、E、F

。（填字母）
A.離子鍵
B.極性共價(jià)鍵
C.非極性共價(jià)鍵
D.分子間作用力
E.σ鍵
F.π鍵
（4）室溫下，AgI屬于六方ZnS結(jié)構(gòu)，其中S原子作六方密堆積，Zn原子填充在半數(shù)的四面體空隙中。則AgI晶體中I原子的配位數(shù)是

4

4

。
（5）400℃以上AgI固體的導(dǎo)電能力是室溫的上萬倍，可與電解質(zhì)溶液媲美，經(jīng)研究發(fā)現(xiàn)其在146℃以上轉(zhuǎn)化為一種奇特結(jié)構(gòu)：α-AgI，I^-作體心立方堆積，而Ag⁺則選擇性填入Iˉ構(gòu)成的三類孔隙中：八面體孔隙（O）、四面體孔隙（T）和三角形孔隙（Tr），則平均每個(gè)α-AgI晶胞中的Ag⁺數(shù)是

2

2

，Iˉ與Iˉ構(gòu)成的三類孔隙堆積之比為I^-：O：T：Tr=1：

3

3

：

6

6

：12。