完成下列問題：
（1）GaAs的熔點(diǎn)為1238℃，可作半導(dǎo)體材料，而GaCl3的熔點(diǎn)為77.9℃。預(yù)測(cè)GaCl3的晶體類型可能為 分子晶體分子晶體。
（2）GaAs晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，則晶胞中每個(gè)Ga原子周圍有 44個(gè)緊鄰等距的As原子；該晶體的密度為ρg/cm3，阿伏加德羅常數(shù)為NA，則晶體中最近的兩個(gè)Ga原子的核間距離為 2234×（70+75）ρ2234×（70+75）ρcm（列出計(jì)算式）。
（2）ZnO晶體中部分O原子被N原子替代后可以改善半導(dǎo)體的性能，Zn-N鍵中離子鍵成分的百分?jǐn)?shù)小于Zn-O鍵，原因是 電負(fù)性O(shè)大于N，O對(duì)電子的吸引能力更強(qiáng)，Zn和O更易形成離子鍵電負(fù)性O(shè)大于N，O對(duì)電子的吸引能力更強(qiáng)，Zn和O更易形成離子鍵。
（3）CH3Mn（CO）5與I2反應(yīng)可用于制備CH3I，反應(yīng)前后錳的配位數(shù)不變，CH3Mn（CO）5與I2反應(yīng)的化學(xué)方程式為 CH3Mn（CO）5+I2→CH3I+MnI（CO）5CH3Mn（CO）5+I2→CH3I+MnI（CO）5。
（4）將含有未成對(duì)電子的物質(zhì)置于外磁場(chǎng)中，會(huì)使磁場(chǎng)強(qiáng)度增大，稱其為順磁性物質(zhì)。下列物質(zhì)中，屬于順磁性物質(zhì)的是 CC（填標(biāo)號(hào)）。
A．[Cu（NH3）2]Cl
B．[Zn（NH3）4]SO4
C．[Cu（NH3）4]SO4
D．Na2[Zn（OH）4]
2
2
3
4
×
（
70
+
75
）
ρ
2
2
3
4
×
（
70
+
75
）
ρ
【考點(diǎn)】晶胞的計(jì)算．
【答案】分子晶體；4；；電負(fù)性O(shè)大于N，O對(duì)電子的吸引能力更強(qiáng)，Zn和O更易形成離子鍵；CH3Mn（CO）5+I2→CH3I+MnI（CO）5；C
2
2
3
4
×
（
70
+
75
）
ρ
【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
聲明：本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有，未經(jīng)書面同意，不得復(fù)制發(fā)布。
發(fā)布：2024/11/7 1:0:2組卷：21引用：1難度：0.6
相似題
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1．生活、實(shí)驗(yàn)室中接觸的很多物質(zhì)含有第二周期的元素，比如：石墨、Na2O、配合物Na2[Fe（CN）5（NO）]等．
（1）①Na2[Fe（CN）5（NO）]中中心離子的未成對(duì)電子數(shù)為個(gè)．（寫具體數(shù)字）
②Na2[Fe（CN）5（NO）]中原子序數(shù)之和為15的兩種元素中第一電離能較大的是（寫元素名稱），二者能形成原子個(gè)數(shù)比為1：3的一種常見微粒，推測(cè)這種微粒的空間構(gòu)型為．
（2）石墨的結(jié)構(gòu)如圖1所示．若已知每個(gè)共價(jià)鍵的鍵長(zhǎng)為142pm,可以計(jì)算出每個(gè)正六邊形的面積約為5.24×10-20m2，則將12g石墨單質(zhì)中的每一層都剝離出來彼此緊密連接，其總面積約為m2（NA=6.02×1023）．（保留3位有效數(shù)字，用科學(xué)記數(shù)法表達(dá)）
（3）Na2O的晶胞結(jié)構(gòu)如圖2所示，已知該晶胞的密度為ρ g?cm-3，阿伏加德羅常數(shù)為NA，則晶胞邊長(zhǎng)a=cm.發(fā)布：2024/12/20 8:0:1組卷：8引用：1難度：0.5 -
2．一種從照相底片中回收單質(zhì)銀的方法如下：
步驟1：用Na2S2O3溶液浸泡照相底片，未曝光的AgBr轉(zhuǎn)化成Na3[Ag（S2O3）2]而溶解。
步驟2：在步驟1所得溶液中加稍過量Na2S溶液，充分反應(yīng)后過濾出黑色沉淀。
步驟3：將黑色沉淀在空氣中灼燒，回收單質(zhì)銀。
下列說法正確的是（ ?。?/h2>發(fā)布：2024/12/20 1:30:2組卷：79引用：5難度：0.8 -
3．有關(guān)晶體的結(jié)構(gòu)如圖所示，下列說法中錯(cuò)誤的是（ ?。?br />
發(fā)布：2024/12/20 16:0:2組卷：174引用：4難度：0.7
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